[发明专利]一种含1T相的抗菌性能二硫化钼薄膜及其制备工艺在审
| 申请号： | 202210512459.4 | 申请日： | 2022-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN114657511A | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 王志博;杨添皓;张冉;周睿 | 申请（专利权）人： | 王志博 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/35 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 抗菌 性能 二硫化钼 薄膜 及其 制备 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种含1T相的抗菌性能MoS2薄膜制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：(1)对基体表面使用酒精进行超声清洗，并吹干； (2)将清洗并吹干后的基体装夹在磁控溅射腔内，以Ar为工作气体，采用MoS2靶和金属靶共溅射，沉积得到含1T相的抗菌性能MoS2薄膜。
2.根据权利要求1所述的含1T相的抗菌性能MoS2薄膜制备工艺，其特征在于，步骤(1)中基体为碳纤维布、碳纤维纸、泡沫镍、泡沫铜、蜡灰或硅片。
3.根据权利要求1所述的含1T相的抗菌性能MoS2薄膜制备工艺，其特征在于，步骤(2)中工作气压为0 .3～1Pa，公转速度为0.8～5r/min，温度为30℃，Ar流量20～40sccm。
4.根据权利要求1所述的含1T相的抗菌性能MoS2薄膜制备工艺，其特征在于，步骤(2)中金属靶为 纯度99 .9％的铜、银、金或铝靶。
5.根据权利要求1所述的含1T相的抗菌性能MoS2薄膜制备工艺，其特征在于，步骤(2)MoS2采用射频电源，功率为50～300W，金属采用直流电源，功率为5～50W。
6.一种由权利要求1～5任一项所述的制备工艺制备得到的抗菌性能MoS2薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于王志博，未经王志博许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210512459.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
