[发明专利]中空颗粒及其制造方法、树脂组合物、成型体和层叠体

说明书

本发明提供使介电特性提高的中空颗粒。本发明的实施方式的中空颗粒包含二氧化硅，一次颗粒的D_SL满足下述式(1)，破坏强度为10MPa以上，1≤D_SL≤1.5…(1)其中，D_SL＝D_75L/D_25L，D_25L和D_75L分别表示在利用扫描型电子显微镜的观察中，测定随机选择的100个一次颗粒的长径，将尺寸从小到大依次排列时的第25个值和第75个值。

技术领域

本发明涉及中空颗粒、该中空颗粒的制造方法、树脂组合物、以及使用了该树脂组合物的树脂成型体和层叠体。

背景技术

例如，在信息通信设备的领域中，为了应对高频带的通信，要求电子部件(代表性地为树脂部件)的低介电常数化、低介电损耗角正切化。为了实现这一点，例如，提出了在部件中含有相对介电常数低的空气的方案。具体而言，提出了使用中空颗粒并导入空气的方案(例如，参照专利文献1)。

由于近年来的信息通信设备的高速大容量化，要求介电特性的进一步提高。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007－56158号公报

发明内容

发明所要解决的课题

本发明是为了解决上述课题而作出的，目的之一在于提高介电特性。

用于解决课题的方案

1.本发明的实施方式所涉及的中空颗粒包含二氧化硅，一次颗粒的D_SL满足下述式(1)，中空颗粒的破坏强度为10MPa以上。

1≤D_SL≤1.5···(1)

其中，D_SL＝D_75L/D_25L，D_25L和D_75L分别表示在利用扫描型电子显微镜的观察中，测定随机选择的100个一次颗粒的长径，将尺寸从小到大依次排列时的第25个值和第75个值。

2.在上述1所述的中空颗粒中，BET比表面积能够为30m²/g以下。

3.在上述1或2所述的中空颗粒中，直径为1nm～100nm的细孔的累积细孔容积能够为0.1cc/g以下。

4.在上述1～3中任一项所述的中空颗粒中，中空率能够为30％以上95％以下。

5.在上述1～4中任一项所述的中空颗粒中，纵横比能够为低于2。

6.在上述1～5中任一项所述的中空颗粒中，长径能够为0.5μm以上10μm以下。

7.在上述1～6中任一项所述的中空颗粒中，壳的厚度能够为25nm以上500nm以下。

8.在上述1～7中任一项所述的中空颗粒中，上述二氧化硅能够为无定形二氧化硅。

9.在上述1～8中任一项所述的中空颗粒中，能够包含Al，Al/Si的摩尔比为0.0001以上0.1以下。

10.在上述1～9中任一项所述的中空颗粒中，能够包含Na，Na/Si的摩尔比为0.001以上0.025以下。

11.本发明的另一实施方式所涉及的树脂组合物包含树脂和上述1～10中任一项所述的中空颗粒。

12.本发明的其它的另一实施方式所涉及的树脂成型体由上述11所述的树脂组合物形成。