[发明专利]带有晶闸管的电子电路在审
| 申请号: | 202210489868.7 | 申请日: | 2022-05-06 | 
| 公开(公告)号: | CN115313887A | 公开(公告)日: | 2022-11-08 | 
| 发明(设计)人: | L·宫蒂尔 | 申请(专利权)人: | 意法半导体有限公司 | 
| 主分类号: | H02M7/155 | 分类号: | H02M7/155;H02M7/217;H02M1/14 | 
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 董莘 | 
| 地址: | 中国香港九龙尖沙咀广东道*** | 国省代码: | 香港;81 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 带有 晶闸管 电子电路 | ||
1.一种转换器,包括AC-DC转换级,所述AC-DC转换级包括:
第一晶闸管,
第一电源电路,在所述第一电源的第一节点与第二节点之间输送第一参考电压,以及
第二电源电路,在所述第二电源的第三节点与第四节点之间输送第二参考电压,所述第一晶闸管的所述阴极经由第一开关被耦合到所述第一电源电路的所述第一节点,并且被耦合到所述第四节点,所述第二电源电路包括第一整流元件,所述第一整流元件被耦合到所述第一电源电路的所述第二节点,并且被耦合到所述第三节点。
2.根据权利要求1所述的转换器,其中所述第一整流元件是第一二极管。
3.根据权利要求1所述的转换器,其中所述第二电源电路包括第一电容器,所述第一电容器具有第一电极,所述第一电极被耦合到所述第一晶闸管的所述阴极。
4.根据权利要求1所述的转换器,其中所述第一开关是第一MOS晶体管。
5.根据权利要求1所述的转换器,其中所述第一开关是二极管。
6.根据权利要求4所述的转换器,其中所述AC-DC转换级包括:
第一端子和第二端子,所述第一端子和所述第二端子被配置为接收AC电压;以及
第三端子和第四端子,所述第三端子和所述第四端子被配置为输送DC电压。
7.根据权利要求6所述的转换器,其中在稳定状态之前,在所述AC电压的正半波期间,所述第一电源电路被配置为响应于所述DC电压已经超过阈值而被激活,并且所述第一电容器被配置为响应于所述第一开关被控制为处于接通状态,通过流过所述第一整流元件的电流被充电。
8.根据权利要求6所述的转换器,还包括第二MOS晶体管,所述第二MOS晶体管被耦合在所述第一电源电路的所述第一节点与所述第四端子之间,其中所述第三端子被耦合到所述第一晶闸管的所述阴极,并且其中所述第二端子被耦合到所述第一晶闸管的阳极。
9.根据权利要求6所述的转换器,还包括第二MOS晶体管,所述第二MOS晶体管经由电感被耦合到所述第一电源电路的所述第一节点,并且被耦合到所述第四端子,其中所述第三端子被耦合到所述第一晶闸管的所述阴极,并且其中所述第二端子被耦合到所述第一晶闸管的阳极。
10.根据权利要求6所述的转换器,其中所述第二端子被耦合到所述第一晶闸管的所述阳极,并且其中所述第一端子经由电感被耦合到所述第一电源电路的所述第一节点。
11.根据权利要求6所述的转换器,还包括第二MOS晶体管,被耦合到所述第一电源电路的所述第一节点,其中所述第二端子被耦合到所述第一晶闸管的所述阴极,其中所述第一端子经由电感被耦合到所述第二MOS晶体管,并且其中所述第一晶闸管的阳极被连接到所述第四端子。
12.根据权利要求9所述的转换器,还包括第二晶闸管,其中所述第二晶闸管的阴极被耦合到所述第一晶闸管的所述阴极,并且其中所述第一端子被耦合到所述第二晶闸管的阳极。
13.根据权利要求6所述的转换器,其中所述第一端子经由电感被耦合到所述第一MOS晶体管,所述第二端子被耦合到所述第一晶闸管的所述阴极,并且所述第一晶闸管的阳极被耦合到所述第四端子。
14.根据权利要求13所述的转换器,包括第二开关,所述第二开关被耦合在所述第一晶闸管的所述阴极与所述第四端子之间。
15.根据权利要求5所述的转换器,其中所述AC-DC转换级包括:
第一端子和第二端子,所述第一端子和所述第二端子被配置为接收AC电压;以及
第三端子和第四端子,所述第三端子和所述第四端子被配置为输送DC电压。
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