[发明专利]用于ESD保护的主动触发PMOS电路及控制方法

权利要求书

1.一种用于ESD保护的主动触发PMOS电路，其特征在于，所述用于ESD保护的主动触发PMOS电路包括：回扫模块和PMOS器件；

所述回扫模块一端和所述PMOS器件的源极与电源连接，所述回扫模块另一端与所述PMOS器件的栅极连接，所述回扫模块另一端和所述PMOS器件的漏极接地；

所述回扫模块，用于在所述电源中存在ESD脉冲信号时，生成感应信号，以使所述PMOS器件进入导通状态；

所述PMOS器件，用于在处于导通状态时，对所述电源中的ESD脉冲信号进行静电泄放。

2.如权利要求1所述的用于ESD保护的主动触发PMOS电路，其特征在于，所述回扫模块，还用于在所述电源中存在ESD脉冲信号时，进入击穿状态，生成感应信号，并将所述感应信号传输至所述PMOS器件的栅极；

所述PMOS器件，还用于在接收到所述感应信号时，向内置的栅源寄生电容进行放电，以减小栅极电压，使所述PMOS器件进入导通状态。

3.如权利要求2所述的用于ESD保护的主动触发PMOS电路，其特征在于，所述用于ESD保护的主动触发PMOS电路还包括：抗闩锁模块；

所述抗闩锁模块的一端与所述电源连接，所述抗闩锁模块的另一端分别与所述回扫模块一端和所述PMOS器件的栅极连接；

所述抗闩锁模块，用于减小所述回扫模块的工作电流，以使所述回扫模块实现抗闩锁。

4.如权利要求3所述的用于ESD保护的主动触发PMOS电路，其特征在于，所述抗闩锁模块包括：第一电阻；

所述第一电阻的第一端与所述电源连接，所述第一电阻的第二端分别与所述回扫模块一端和所述PMOS器件的栅极连接。

5.如权利要求4所述的用于ESD保护的主动触发PMOS电路，其特征在于，所述第一电阻的阻值大于电源电压与所述回扫模块的最低维持电流的比值。

6.如权利要求3所述的用于ESD保护的主动触发PMOS电路，其特征在于，所述回扫模块包括：PNP管和NPN管；

所述PNP管的发射极分别与所述抗闩锁模块的另一端和所述PMOS器件的栅极连接，所述PNP管的基极分别与所述抗闩锁模块的另一端、所述PMOS器件的栅极连接以及所述NPN管的集电极连接，所述PNP管的集电极、所述NPN管的基极以及所述NPN管的发射极接地。

7.如权利要求5所述的用于ESD保护的主动触发PMOS电路，其特征在于，所述回扫模块还包括：第二电阻和第三电阻；

所述第二电阻的第一端分别与所述抗闩锁模块的另一端和所述PMOS器件的栅极连接，所述第二电阻的第二端分别与所述PNP管的基极和所述NPN管的集电极连接，所述第三电阻的第一端分别与所述PNP管的集电极和所述NPN管的基极连接，所述第三电阻的第二端接地。

8.如权利要求3所述的用于ESD保护的主动触发PMOS电路，其特征在于，所述回扫模块包括：栅极接地MOS管；

所述栅极接地MOS管的漏极与所述抗闩锁模块的另一端连接，所述栅极接地MOS管的源极和所述栅极接地MOS管的栅极接地。

9.一种用于ESD保护的主动触发PMOS控制方法，其特征在于，所述用于ESD保护的主动触发PMOS控制方法应用于如权利要求1至8中任一项所述的用于ESD保护的主动触发PMOS电路；

所述用于ESD保护的主动触发PMOS控制方法包括：

所述回扫模块在所述电源中存在ESD脉冲信号时，生成感应信号，以使所述PMOS器件进入导通状态；

所述PMOS器件在处于导通状态时，对所述电源中的ESD脉冲信号进行静电泄放。

10.如权利要求9所述的用于ESD保护的主动触发PMOS控制方法，其特征在于，所述回扫模块在所述电源中存在ESD脉冲信号时，生成感应信号，以使所述PMOS器件进入导通状态的步骤，具体包括：

所述回扫模块在所述电源中存在ESD脉冲信号时，进入击穿状态，生成感应信号，并将所述感应信号传输至所述PMOS器件的栅极；

所述PMOS器件在接收到所述感应信号时，向内置的栅源寄生电容进行放电，以减小栅极电压，使所述PMOS器件进入导通状态。