[发明专利]一种高通量制备不同目标元素含量烧结钕铁硼磁体的工艺方法

权利要求书

1.一种钕铁硼磁体中间体，其特征在于，所述钕铁硼磁体中间体由钕铁硼压坯和复合在钕铁硼压坯上的低熔点合金片经扩渗和烧结处理后得到。

2.根据权利要求1所述的钕铁硼磁体中间体，其特征在于，所述钕铁硼压坯由钕铁硼原料经过取向成型和压制后得到；

所述钕铁硼压坯的密度为3.2～4.2g/cm³；

所述压坯的厚度为5～50mm。

3.根据权利要求1所述的钕铁硼磁体中间体，其特征在于，所述钕铁硼压坯不经过致密化处理；

所述钕铁硼压坯为疏松的具有微孔的坯体；

所述致密化处理包括致密化烧结、半致密化烧结和预烧结中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的钕铁硼磁体中间体，其特征在于，所述低熔点合金片的熔点小于等于900℃；

所述低熔点合金片为用于扩渗的合金扩散源；

所述低熔点合金片与压坯质量比例为5％～10％。

5.根据权利要求1所述的钕铁硼磁体中间体，其特征在于，所述烧结处理后还包括切块处理；

所述切块的方向为垂直于钕铁硼磁体的扩渗方向进行切割。

6.一种不同目标元素含量的烧结钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)将含有目标元素的多元素原料进行合金化后，得到低熔点合金片；

将钕铁硼原料粉末经过取向和压型，再经过冷等静压后，得到钕铁硼压坯；

2)将上述步骤得到的低熔点合金片置于钕铁硼压坯的一面上，得到组合坯；

3)将上述步骤得到的组合坯经过扩渗和烧结处理后得到初始磁体；

4)将上述步骤得到的初始磁体切块分段后，得到多个磁体中间体；

5)将上述步骤得到的多个磁体中间体经过回火处理后，得到不同目标元素含量的烧结钕铁硼磁体。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述低熔点合金片的熔点小于等于900℃；

所述钕铁硼压坯的密度为3.2～4.2g/cm³；

所述压坯的厚度为5～20m；

所述低熔点合金片与压坯质量比例为5％～10％。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述扩渗过程的升温速率为2～10℃/min；

所述扩渗过程的氧含量小于等于0.1ppm；

所述扩渗的方式包括压力扩渗；

所述压力为50kPa～5Mpa；

所述烧结处理的温度为1050～1100℃。

9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述烧结处理的保温时间为2～5小时；

所述烧结处理的真空度小于等于10^-3Pa；

所述切块分段的方向为垂直于钕铁硼磁体的扩渗方向进行切割；

所述回火处理的真空度为小于等于10^-3Pa；

所述不同目标元素含量的烧结钕铁硼磁体为多个不同目标元素含量的钕铁硼磁体。

10.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述回火处理包括第一回火处理阶段和第二回火处理阶段；

所述第一回火处理的温度为850～950℃；

所述第一回火处理的时间为3～5小时；

所述第二回火处理的温度为450～600℃；

所述第二回火处理的时间为3～5小时。