[发明专利]一种宽输入和高压交流输出的光伏逆变器的可拓展拓扑结构

权利要求书

1.一种宽输入和高压交流输出的光伏逆变器的可拓展拓扑结构，其特征在于，所述拓扑结构包括A0模块、B0模块、C0模块、Ai模块、An模块、Bi模块、Bn模块、Ci模块和Cn模块，i＝1、2、……、n-1；

An模块、Bn模块和Cn模块组成三相电源的三角形连接，所述A0模块、B0模块和C0模块分别作为三相电源的三个输出端，其中，n-1个Ai模块串联在A相输出端的A0模块与An模块之间，所述n-1个Bi模块串联在B相输出端的B0模块与Bn模块之间，所述n-1个Ci模块串联在C相输出端的C0模块与Cn模块之间。

2.根据权利要求1所述的一种宽输入和高压交流输出的光伏逆变器的可拓展拓扑结构，其特征在于，所述A0模块、B0模块和C0模块结构相同，所述A0模块包括3个光伏组串、3个隔离型DC/DC变换电路、级联三相逆变半桥电路和3个滤波电路，每个隔离型DC/DC变换电路串联在一个光伏组串和级联三相逆变半桥电路的一相信号输入端之间，所述级联三相逆变半桥电路的三个输出端分别与A0模块的三个输出端之间均串联连接一个滤波电路。

3.根据权利要求2所述的一种宽输入和高压交流输出的光伏逆变器的可拓展拓扑结构，其特征在于，所述滤波电路采用电感滤波电路、LC滤波电路、LCL滤波电路或LCCR滤波电路实现。

4.根据权利要求2所述的一种宽输入和高压交流输出的光伏逆变器的可拓展拓扑结构，其特征在于，所述级联三相半桥逆变电路包括三个单相半桥电路，所述第一单相半桥电路包括晶体管Q1a、晶体管Q2a、晶体管Q3a、晶体管Q4a、晶体管Q5a和晶体管Q6a，所述第二单相半桥电路包括晶体管Q1b、晶体管Q2b、晶体管Q3b、晶体管Q4b、晶体管Q5b和晶体管Q6b，所述第三单相半桥电路包括晶体管Q1c、晶体管Q2c、晶体管Q3c、晶体管Q4c、晶体管Q5c和晶体管Q6c；

所述第一单相半桥电路的晶体管Q1a的发射极和晶体管Q2a的集电极之间连接第三单相半桥电路的晶体管Q1c的发射极和晶体管Q2c的集电极之间，所述第一单相半桥电路的晶体管Q3a的发射极和晶体管Q4a的集电极之间连接第二单相半桥电路的晶体管Q1b的发射极和晶体管Q2b的集电极之间，所述第一单相半桥电路的晶体管Q5a的发射极和晶体管Q6a的集电极之间连接第三单相半桥电路的晶体管Q1c的发射极和晶体管Q2c的集电极之间，所述第二单相半桥电路的晶体管Q5b的发射极和晶体管Q6b的集电极之间连接第三单相半桥电路的晶体管Q3c的发射极和晶体管Q4c的集电极之间，所述滤波电路包括La、Lb和Lc，所述滤波电路La连接晶体管Q5a的发射极和晶体管Q6a的集电极之间，滤波电路La连接A0模块的输出端，滤波电路Lb连接晶体管Q5b的发射极和晶体管Q6b的集电极之间，滤波电路Lb连接A0模块的输出端，滤波电路Lc连接晶体管Q5c的发射极和晶体管Q6c的集电极之间，滤波电路Lc连接A0模块的输出端，所述第二隔离型DC/DC变换电路连接第三隔离型DC/DC变换电路。

5.根据权利要求1所述的一种宽输入和高压交流输出的光伏逆变器的可拓展拓扑结构，其特征在于，所述Ai模块和An模块结构相同，所述Ai模块包括2个光伏组串、2个隔离型DC/DC变换电路和级联三相逆变半桥电路，每个隔离型DC/DC变换电路串联在一个光伏组串和级联三相逆变半桥电路之间；

所述级联三相半桥逆变电路包括2个单相半桥电路，所述第二单相半桥电路的晶体管Q5b的发射极和晶体管Q6b的集电极之间连接第三单相半桥电路的晶体管Q3c的发射极和Q4c的集电极之间，所述第二单相半桥电路的晶体管Q1b的发射极和晶体管Q2b的集电极之间连接Ai模块的输出端，所述第二单相半桥电路的晶体管Q3b的发射极和晶体管Q4b的集电极之间连接Ai模块的输出端，所述第三单相半桥电路的晶体管Q1c的发射极和Q2c的集电极之间连接Ai模块的输出端，所述第三单相半桥电路的晶体管Q5c的发射极和Q6c的集电极之间连接Ai模块的输出端。