[发明专利]基于加权反馈进行存储器裸片的电压调整

说明书

本申请涉及基于加权反馈进行存储器裸片的电压调整。可测量存储器裸片的各个区域处的供应电压，可基于从其测量特定电压的区域将权重应用于经测量电压。所述供应电压可基于加权信号进行调整。信号可使用数字或模拟技术进行加权。在其中对来自振荡器电路的振荡进行计数的不同持续时间可为信号提供加权。应用于所述信号的权重可动态调整，此可允许基于所述存储器裸片的操作条件的变化对所述权重进行调谐或改变。

交叉参考

本专利申请案主张由巴德里耶(Badrieh)等人在2021年5月10日申请的标题为“基于加权反馈进行存储器裸片的电压调整(VOLTAGE ADJUSTMENT OF MEMORY DIES BASED ONWEIGHTED FEEDBACK)”的第17/315,711号美国专利申请案的优先权，所述美国专利申请案被转让给其受让人且以其全文引用方式明确并入本文中。

技术领域

本技术领域涉及基于加权反馈进行存储器裸片的电压调整。

背景技术

存储器装置广泛用于在各种电子装置中存储信息，所述电子装置例如计算机、用户装置、无线通信装置、相机、数字显示器及类似物。信息通过将存储器装置内的存储器单元编程到各种状态来存储。举例来说，二进制存储器单元可被编程到通常由逻辑1或逻辑0标示的两种支持状态中的一者。在一些实例中，单个存储器单元可支持多于两种状态，其中任一者可被存储。为了存取经存储信息，组件可读取或感测存储器装置中的至少一个经存储状态。为了存储信息，组件可写入或编程存储器装置中的状态。

存在各种类型的存储器装置及存储器单元，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、静态RAM(SRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)、自选择存储器、硫属化物存储器技术及其它。存储器单元可为易失性或非易失性的。非易失性存储器(例如，FeRAM)可甚至在不存在外部电源的情况下维持其所存储逻辑状态达延长时段。例如DRAM的易失性存储器装置可在与外部电源断开时丢失其所存储状态。

发明内容

描述一种方法。所述方法可包含：接收各自指示存储器裸片的相应区域处的电压的多个信号；对所述多个信号中的每一信号进行加权以产生多个加权信号；及至少部分基于所述多个加权信号调整供应电压的电压电平。对每一信号的所述加权可至少部分基于与所述信号相关联的所述存储器裸片的所述相应区域。

描述一种设备。所述设备可包含：存储器裸片；多个电压传感器，其定位于所述存储器裸片的不同区域处且经配置以输出多个信号；第一电路，其与所述多个电压传感器耦合；及电压调节器，其与所述第一电路耦合。所述多个电压传感器中的每一电压传感器可经配置以输出指示在所述存储器裸片的相应区域处感测到的电压的所述多个信号中的相应信号。所述第一电路可经配置以：从所述多个电压传感器接收所述多个信号；及对所述多个信号中的每一信号进行加权以产生多个加权信号。对每一信号的所述加权可至少部分基于与所述信号相关联的所述存储器裸片的所述相应区域。所述电压调节器可经配置以：将供应电压提供到所述存储器裸片；及至少部分基于所述多个加权信号调整所述供应电压的电压电平。

描述另一设备。所述设备可包含：存储器裸片；与所述存储器裸片耦合的电力电路；及控制器，其与所述存储器裸片及所述电力电路耦合。所述电力电路可经配置以将一或多个电压提供到所述存储器裸片。所述控制器可经配置以致使所述电力电路进行以下操作：从与所述存储器裸片耦合的多个电压传感器接收多个信号，所述多个信号中的每一信号指示所述存储器裸片的一区域处的电压；至少部分基于所述存储器裸片的所述区域对所述多个信号中的每一信号进行加权以产生多个加权信号；及至少部分基于所述多个加权信号调整由所述存储器裸片使用的供应电压的电压电平。

附图说明

图1说明根据本文中所公开的实例的支持基于加权反馈进行存储器裸片的电压调整的系统的实例。