[发明专利]晶圆表面缺陷的检测方法、系统、计算机设备和存储介质在审
| 申请号: | 202210485737.1 | 申请日: | 2022-05-06 |
| 公开(公告)号: | CN114878590A | 公开(公告)日: | 2022-08-09 |
| 发明(设计)人: | 陈伟;孙玲 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号: | G01N21/95 | 分类号: | G01N21/95;G01B11/24 |
| 代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 郭凤杰 |
| 地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 表面 缺陷 检测 方法 系统 计算机 设备 存储 介质 | ||
1.一种晶圆表面缺陷的检测方法,其特征在于,包括:
获取目标生产工艺前晶圆表面缺陷的第一缺陷分布图和目标生产工艺后晶圆表面缺陷的第二缺陷分布图;
以所述第一缺陷分布图中缺陷的中心为中心的建立第一几何图形;
以所述第二缺陷分布图中缺陷的中心为中心建立第二几何图形,所述第二几何图形由闭合轮廓线围设形成;
对所述第一缺陷分布图和所述第二缺陷分布图进行叠图,根据所述第二几何图形和第一几何图形之间的重叠状态,判断所述第二缺陷分布图中缺陷的新增状态,以检测所述晶圆表面的缺陷情况。
2.根据权利要求1所述的种晶圆表面缺陷的检测方法,其特征在于,所述第二几何图形是规则几何图形。
3.根据权利要求2所述的晶圆表面缺陷的检测方法,其特征在于,所述规则几何图形为矩形或圆形。
4.根据权利要求1所述的晶圆表面缺陷的检测方法,其特征在于,所述第二几何图形的尺寸由相应缺陷在第一方向上的尺寸和第二方向上的尺寸确定,其中,所述第一方向和所述第二方向垂直。
5.根据权利要求4所述的晶圆表面缺陷的检测方法,其特征在于,所述第二几何图形的边缘轮廓基于对应的所述第二缺陷分布图中缺陷的边缘轮廓向外周延伸第二预设距离,以使所述第二几何图形的边缘轮廓大于对应的所述第二缺陷分布图中缺陷的边缘轮廓。
6.根据权利要求1所述的晶圆表面缺陷的检测方法,其特征在于,所述第二几何图形为具有预设边长的正方形或具有第二预设半径的圆形,且所述第二几何图形的中心为对应的第二缺陷分布图中缺陷的中心。
7.根据权利要求1所述的晶圆表面缺陷的检测方法,其特征在于,判断所述第二缺陷分布图中缺陷的新增状态的过程包括:
当所述第二几何图形在所述第一几何图形内或与所述第一几何图形相交时,所述缺陷为重复性缺陷;
当所述第二几何图形的边缘轮廓在所述第一几何图形外时,所述缺陷为新增缺陷。
8.根据权利要求1-7任一项所述的晶圆表面缺陷的检测方法,其特征在于,所述第一几何图形边缘轮廓至少包围对应的所述第一缺陷分布图中缺陷的边缘轮廓。
9.根据权利要求8所述的晶圆表面缺陷的检测方法,其特征在于,
所述第一几何图形的边缘轮廓基于对应的所述第一缺陷分布图中缺陷的边缘轮廓向外周延伸第一预设距离,以使所述第一几何图形的边缘轮廓大于对应的所述第一缺陷分布图中缺陷的边缘轮廓。
10.根据权利要求9所述的种晶圆表面缺陷的检测方法,其特征在于,所述第一几何图形是矩形或圆形。
11.根据权利要求1所述的晶圆表面缺陷的检测方法,其特征在于,所述第一缺陷分布图中的缺陷包括离散缺陷和聚集缺陷。
12.根据权利要求11所述的种晶圆表面缺陷的检测方法,其特征在于,
当第一缺陷分布图中的缺陷为聚集缺陷时,所述第一几何图形边缘轮廓至少包围对应的所述第一缺陷分布图中缺陷的边缘轮廓;
当第一缺陷分布图中的缺陷为离散缺陷时,所述第一几何图形为以对应的所述缺陷的中心为圆心而建立的具有第一预设半径的圆。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司,未经长鑫存储技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210485737.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





