[发明专利]一种降低叠层电容器等效串联电阻的方法

说明书

本申请涉及电容器技术领域，涉及一种降低叠层电容器等效串联电阻的方法，包括如下步骤：将箔片先低温含浸单体溶液，再低温含浸氧化溶液，接着箔片移出所述氧化溶液后采用高压气幕吹落所述箔片侧面过剩的氧化溶液，为一个循环；进行至少一次循环后，再含浸一次单体溶液并进行烘干。本发明采用低温含浸单体溶液和氧化溶液技术，有利于形成粒径较小、堆积密度更高的导电高分子，从而制备出电导率更高、耐热性更好的导电高分子；采用高压空气去除多余氧化溶液技术，有利于氧化溶液更易渗透和更牢附着于阳极化成铝箔的孔洞深处，有利于形成更加致密、结合力高、抗塑封冲击特性好和更高电导率的导电高分子；有效降低叠层电容器的ESR、提高容量和漏电流合格率。

技术领域

本申请涉及电容器技术领域，更具体地，涉及一种降低叠层电容器等效串联电阻的方法。

背景技术

叠层电容器应用到如低功耗服务器、超薄型笔记本电脑、人工智能、北斗导航、大数据计算处理等新的应用领域时，要求叠层电容器具备更低的ESR(等效串联电阻)。

如中国发明专利CN201510886032.0公开了一种叠层片式聚合物固体铝电解电容器的制备方法，包括以下步骤：(1)预处理，(2)前处理，(3)化学聚合，(4)铝箔修补，(5)电化学聚合，(6)形成导电石墨层，(7)形成导电银层，(8)叠层和(9)封装、吸湿、老化等步骤，其中化学聚合：将经过(2)处理后的化成铝箔采用还原液与氧化液分开交替浸渍进行化学聚合形成第一导电聚合物层；具体为：先浸渍于还原液中0.5-3min，接着在温度50-80℃下烘干0.5-30min烘干后，然后浸入氧化液0.5-3min，再在温度50-80℃下烘干0.5-30min烘干；重复上述操作，其中，浸入氧化液的次数为2-10次，浸入还原液的次数为3-11次。虽然这些现有技术能够降低ESR，但是降幅有限，且步骤繁琐，增加了成本，无法突破极低ESR值。

发明内容

本申请实施例所要解决的技术问题是，提供一种降低叠层电容器等效串联电阻的方法。

为了解决上述技术问题，本申请采用了如下所述的技术方案：

一种降低叠层电容器等效串联电阻的方法，所述方法包括如下步骤：将箔片先低温含浸单体溶液，再低温含浸氧化溶液，接着箔片移出所述氧化溶液后采用高压气幕吹落所述箔片侧面过剩的氧化溶液，为一个循环；进行至少一次循环后，最后再含浸一次所述单体溶液并进行烘干。

进一步地，所述含浸单体溶液的温度为1℃～6℃，时间为5秒～95秒。

进一步地，所述单体溶液由以下组分按重量百分比组成：单体1.5wt％～9.5wt％、溶剂85wt％～95wt％、掺杂剂0.5wt％～5wt％、助剂0.5wt％～3wt％。

进一步地，所述单体选自吡咯、噻吩、苯胺及衍生物中的至少一种。

进一步地，所述掺杂剂选自聚乙烯磺酸及其盐、聚苯乙烯磺酸及其盐、脂肪族磺酸及其盐、芳香族磺酸及其盐、间磺基苯甲酰胺、3-磺基-1，8-萘二甲酸酐和4-磺基-1，8-萘二甲酸酐、碘化钠中的至少一种。

进一步地，所述助剂选自γ-巯丙基三乙氧基硅烷与氟化丙烯酸共聚物、油酸三乙醇胺、油酸肌氨酸钠、对苯二酚衍生物中的至少一种。

进一步地，所述低温含浸氧化溶液的温度为1℃～4.5℃，时间为3秒～65秒。

进一步地，所述氧化溶液由以下组分按重量百分比组成：氧化剂1wt％～19wt％、溶剂81wt％～99wt％；所述氧化剂选自对甲苯磺酸铁、过硫酸铵、高氯酸钾、高锰酸钾、银氨溶液、亚硫酸及过氧化氢中的一种；所述溶剂选自水、乙醇、正丁醇中的至少一种。