[发明专利]一种N型掺杂氧化微晶硅、异质结太阳能电池及两者的制备方法

权利要求书

1.一种N型掺杂氧化微晶硅的制备方法，用于太阳能电池，其特征在于，将硅烷、氢气、N型掺杂源气体和一氧化二氮混合进行CVD反应，沉积得到N型掺杂氧化微晶硅；所述N型掺杂源气体中包括ⅤA族和/或ⅥA族的元素。

2.根据权利要求1所述的一种N型掺杂氧化微晶硅的制备方法，其特征在于，所述一氧化二氮和硅烷的流量比为10％～60％。

3.根据权利要求1所述的一种N型掺杂氧化微晶硅的制备方法，其特征在于，具体步骤为：

(1)将硅衬底放入CVD设备的腔体中，再对CVD设备抽真空；

(2)按预定反应气体用量将硅烷、氢气、N型掺杂源气体和一氧化二氮通入CVD设备的真空腔体中；

(3)开启CVD设备的电源对(2)步骤的气体进行解离，形成等离子型态原子，等离子型态原子结合后沉积在硅衬底上，得到N型掺杂氧化微晶硅。

4.根据权利要求3所述的一种N型掺杂氧化微晶硅的制备方法，其特征在于，在(2)步骤中，所述硅烷的用量为50sccm～300sccm，所述氢气的用量为3000sccm～30000sccm，所述一氧化二氮的用量为10sccm～150sccm，所述N型掺杂源气体包括用量为250sccm～1500sccm的磷烷。

5.根据权利要求3所述的一种N型掺杂氧化微晶硅的制备方法，其特征在于，在(3)步骤中，所述电源输出功率不低于1000W，沉积时间为1min～5min。

6.根据权利要求2所述的一种N型掺杂氧化微晶硅的制备方法，其特征在于，所述一氧化二氮和硅烷的流量比为10％～30％。

7.一种N型掺杂氧化微晶硅，其特征在于，由权利要求1～6任一项所述的一种N型掺杂氧化微晶硅的制备方法制备得到。

8.一种异质结太阳能电池，其特征在于，包括第一硅层和第二硅层；所述第一硅层为权利要求7所述的一种N型掺杂氧化微晶硅，所述第二硅层包括掺杂量或掺杂类型与第一硅层不同的晶硅或非晶硅层或微晶硅，第一硅层设于第二硅层上且两者之间具有空间电荷区。

9.根据权利要求8所述的一种异质结太阳能电池，其特征在于，沿厚度方向依次包括相连的背面电极、TCO薄膜、P型掺杂微晶硅薄膜、本征非晶硅薄膜、N型单晶硅、本征非晶硅薄膜、所述N型掺杂氧化微晶硅、TCO薄膜和正面电极。

10.一种异质结太阳能电池的制备方法，所述异质结太阳能电池为权利要求8或9所述的一种异质结太阳能电池，其特征在于，具体制备步骤为：

(1)通过PECVD法在N型单晶硅的两面上沉积本征非晶硅薄膜；

(2)通过PECVD法在N型单晶硅正面的本征非晶硅薄膜上沉积所述N型掺杂氧化微晶硅，在N型单晶硅背面的本征非晶硅薄膜上沉积P型掺杂微晶硅薄膜；

(3)再通过PVD法在(2)步骤得到的薄膜两面沉积TCO薄膜；

(4)最后通过丝网印刷法在(3)步骤得到的薄膜两面印刷银电极，制得异质结太阳能电池。