[发明专利]多模式薄膜传感器的晶圆级集成方法及电子产品

权利要求书

1.一种多模式薄膜传感器的晶圆级集成方法，其特征在于，包括：

提供晶圆(1)，在所述晶圆(1)上制备介质层(2)；

在所述晶圆(1)上制备硅通孔(11)，在所述硅通孔(11)中填充导电介质；

在所述晶圆(1)的未设置所述介质层(2)的一面设置背面绝缘层(3)；以及

在所述晶圆(1)的设置有介质层(2)的一面设置多个类型不同的敏感薄膜(7)和多个外接电极，多个所述外接电极通过所述硅通孔(11)在所述晶圆(1)的未设置所述介质层(2)的一面互联。

2.根据权利要求1所述的多模式薄膜传感器的晶圆级集成方法，其特征在于，所述集成方法包括：通过电镀工艺在所述硅通孔(11)中设置导电介质，所述外接电极连接于所述硅通孔(11)。

3.根据权利要求1所述的多模式薄膜传感器的晶圆级集成方法，其特征在于，所述集成方法包括：在所述晶圆(1)的未设置所述介质层(2)的一面设置引脚(9)。

4.根据权利要求3所述的多模式薄膜传感器的晶圆级集成方法，其特征在于，所述外接电极通过所述硅通孔(11)连接于所述引脚(9)。

5.根据权利要求1所述的多模式薄膜传感器的晶圆级集成方法，其特征在于，所述外接电极包括传感电极(6)，所述敏感薄膜(7)连接于所述传感电极(6)以实现传感功能。

6.根据权利要求1所述的多模式薄膜传感器的晶圆级集成方法，其特征在于，所述晶圆(1)的未设置所述介质层(2)的一面设置有驱动电路、控制电路、信号传输电路，多个所述外接电极共同连接于所述驱动电路、所述控制电路和所述信号传输电路中的至少一者。

7.根据权利要求1所述的多模式薄膜传感器的晶圆级集成方法，其特征在于，所述介质层(2)包括氧化硅与氮化硅中的至少一者。

8.根据权利要求1所述的多模式薄膜传感器的晶圆级集成方法，其特征在于，所述硅通孔(11)的直径D满足1μm≤D≤50μm，所述硅通孔(11)的深宽比为5：1至10：1。

9.根据权利要求1所述的多模式薄膜传感器的晶圆级集成方法，其特征在于，通过光刻及刻蚀工艺图案化所述外接电极，或通过光刻、金属沉积及剥离工艺图案化所述外接电极。

10.一种电子产品，其特征在于，所述电子产品包括通过权利要求1至9中任一项所述的多模式薄膜传感器的晶圆级集成方法制造出的多模式薄膜传感器。