[发明专利]外延片、外延片的制备方法和发光二极管芯片在审
| 申请号： | 202210472240.6 | 申请日： | 2022-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN114975706A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 陈张笑雄;龚逸品;陶羽宇;王群 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/10;H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延 制备 方法 发光二极管 芯片 | ||
1.一种外延片，其特征在于，所述外延片包括蓝宝石衬底(10)和外延结构(30)，所述外延结构(30)位于所述蓝宝石衬底(10)的承载面(11)；
所述蓝宝石衬底(10)的承载面(11)具有多个凹槽(20)，多个所述凹槽(20)间隔排布，所述凹槽(20)内填充有氧化硅材料层(201)，且所述氧化硅材料层(201)的表面与所述蓝宝石衬底(10)的承载面(11)平齐。
2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述凹槽(20)的深度为5μm至15μm。
3.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述凹槽(20)的横截面为圆形，所述凹槽(20)的横截面的直径为2.5μm至3μm，所述凹槽(20)的横截面平行于所述蓝宝石衬底(10)的承载面(11)。
4.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述凹槽(20)的横截面为矩形，所述凹槽(20)的横截面的长度为2μm至5μm，所述凹槽(20)的横截面的宽度为1μm至2μm，所述凹槽(20)的横截面平行于所述蓝宝石衬底(10)的承载面(11)。
5.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述凹槽(20)之间的间距为0.2μm至0.5μm。
6.根据权利要求1至5任一项所述的外延片，其特征在于，所述蓝宝石衬底(10)的厚度为1200μm至1500μm。
7.一种外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供一蓝宝石衬底；
在所述蓝宝石衬底的承载面形成多个凹槽，多个所述凹槽间隔排布；
在所述凹槽内填充氧化硅材料，形成氧化硅材料层，所述氧化硅材料层的表面与所述蓝宝石衬底的承载面平齐；
在所述蓝宝石衬底的承载面上外延生长外延结构。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述在所述蓝宝石衬底的承载面形成多个凹槽包括：
采用光刻工艺在所述蓝宝石衬底的承载面上刻蚀形成多个所述凹槽，所述凹槽的刻蚀深度为5μm至15μm。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述在所述凹槽内填充氧化硅材料，形成氧化硅材料层包括：
在所述蓝宝石衬底的表面沉积氧化硅材料，使氧化硅材料填充所述凹槽且覆盖所述蓝宝石衬底的承载面，形成氧化硅膜层；
减薄所述氧化硅膜层直至露出所述蓝宝石衬底的承载面，形成所述氧化硅材料层。
10.一种发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片包括如权利要求1至6任一项所述的外延片。
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