[发明专利]发声器件和音频设备

说明书

本发明公开一种发声器件和音频设备，其中，发声器件包括导磁板、多个磁路结构、低音音圈、低音振膜、高音音圈和高音振膜，多个磁路结构包括第一磁路结构、第二磁路结构和第三磁路结构，第二磁路结构间隔环设于第一磁路结构，第三磁路结构间隔环设于第二磁路结构，第一磁路结构和第二磁路结构之间形成有高音磁间隙，第二磁路结构和第三磁路结构之间形成有低音磁间隙；低音音圈设于低音振膜的靠近导磁板的一侧，并插设于低音磁间隙；高音音圈设于高音振膜的靠近导磁板的一侧，并插设于高音磁间隙；每一磁路结构的磁体均沿其径向充磁，且其充磁方向均相同。本发明技术方案旨在提升对高音音圈和低音音圈的驱动力，以提升音频设备的声学性能。

技术领域

本发明涉及电声转换技术领域，特别涉及一种发声器件和音频设备。

背景技术

发声器件是音频设备中的重要声学部件，是一种把电信号转变为声信号的换能器件，音频设备包括耳机、音响、手机或电脑等。现今，市场越来越追求全频段音质，为满足全频段音质，涌现出很多高低音单元结合的多单元发声器件，即一个发声器件中同时放置有高音单元和低音单元。然而，在现有的多单元发声器件中，高音单元和低音单元的音圈的驱动力不足，导致音频设备的声学性能不理想，给用户带来了不好的使用体验。

发明内容

本发明的主要目的是提出一种发声器件，旨在提升对高音音圈和低音音圈的驱动力，以提升音频设备的声学性能。

为实现上述目的，本发明提出的发声器件，包括：

导磁板；

多个磁路结构，设于所述导磁板，包括第一磁路结构、第二磁路结构和第三磁路结构，所述第二磁路结构间隔环设于所述第一磁路结构，所述第三磁路结构间隔环设于所述第二磁路结构，所述第一磁路结构和所述第二磁路结构之间形成有高音磁间隙，所述第二磁路结构和所述第三磁路结构之间形成有低音磁间隙；

低音音圈、低音振膜，所述低音音圈设于所述低音振膜的靠近所述导磁板的一侧，并插设于所述低音磁间隙；以及

高音音圈、高音振膜，所述高音音圈设于所述高音振膜的靠近所述导磁板的一侧，并插设于所述高音磁间隙，其中

每一所述磁路结构的磁体均沿其径向充磁，且其充磁方向均相同。

可选地，所述发声器件正对所述高音振膜的位置设有用于辐射高音振膜声波的出音孔，所述出音孔对应所述低音振膜的中心区域设置，所述低音振膜设有避让所述出音孔的避让孔，所述低音振膜位于所述高音振膜的远离所述导磁板的一侧。

可选地，所述发声器件还包括盖体，所述盖体设于所述高音振膜远离所述导磁板的一侧，并盖设于所述第二磁路结构，所述盖体设有所述出音孔，所述避让孔对应所述出音孔设置，且所述低音振膜对应所述避让孔的内周固定于所述盖体。

可选地，所述出音孔设于所述盖体的中心位置,所述盖体环绕所述出音孔的外周侧设有平面支撑部，所述低音振膜对应所述避让孔的内周固定结合于所述平面支撑部。

可选地，所述第一磁路结构包括第一磁体和设于所述第一磁体远离所述导磁板一侧的第一华司，所述第二磁路结构包括第二磁体和设于所述第二磁体的背离所述导磁板的一侧的第二华司，所述盖体盖设于所述第二华司，所述盖体朝向所述低音振膜凸起。

可选地，所述盖体包括边缘部和中心部，所述边缘部连接于所述高音振膜，所述中心部朝向所述低音振膜凸起，所述中心部呈弧形结构。

可选地，所述高音振膜为朝向所述盖体凸起的弧形振膜。

可选地，所述高音振膜包括球顶部和环设于所述球顶部的折环部，所述球顶部和所述折环部均朝向所述盖体凸起，且所述折环部的曲率小于所述球顶部的曲率。

可选地，所述折环部和所述球顶部的结合位置形成平面安装部，所述高音音圈安装于所述平面安装部。