[发明专利]晶圆测试装置及测试方法和计算机存储介质

权利要求书

1.一种晶圆测试方法，用于测试翘曲晶圆，其特征在于，包括：

将待测晶圆表面划分为多个测试区域，所述测试区域包含若干个待测芯片；

获取初始测试区域内的待测芯片所采用的初始针压；

获取当前测试区域与所述初始测试区域内的待测芯片之间的高度差；

根据所述高度差补偿所述初始针压，以获得当前针压；

采用所述当前针压测试所述当前测试区域内的待测芯片。

2.如权利要求1所述的晶圆测试方法，其特征在于，各个所述测试区域的形状相同，和/或，各个所述测试区域内的待测芯片数量相同。

3.如权利要求1所述的晶圆测试方法，其特征在于，所述测试区域的数量为38-100个。

4.如权利要求1所述的晶圆测试方法，其特征在于，获取初始测试区域内的待测芯片所采用的初始针压的步骤包括：

采用一针压测试所述初始测试区域内的待测芯片；

判断测试结果是否为电性导通，若是，则所述针压为初始针压，若否，则调整所述针压，直至测试结果为电性导通。

5.如权利要求1所述的晶圆测试方法，其特征在于，获取当前测试区域与所述初始测试区域内的待测芯片之间的高度差的步骤包括：

采用量测相机量测其与每个所述测试区域内的待测芯片之间的垂直距离；

计算当前测试区域内的待测芯片对应的所述垂直距离与初始测试区域内的待测芯片对应的所述垂直距离之间的差值，以获得所述高度差。

6.如权利要求1所述的晶圆测试方法，其特征在于，获取所述当前测试区域与所述初始测试区域内的待测芯片之间的高度差包括：获取所述当前测试区域与所述初始测试区域内的处于中间位置的待测芯片之间的高度差。

7.一种晶圆测试装置，用于测试翘曲晶圆，其特征在于，包括：

区域划分单元，其被配置为将待测晶圆表面划分为多个测试区域，所述测试区域包含若干个待测芯片；

初始针压获取单元，其被配置为获取初始测试区域内的待测芯片所采用的初始针压；

高度差获取单元，其被配置为获取当前测试区域与所述初始测试区域内的待测芯片之间的高度差；

当前针压获取单元，其被配置为根据所述高度差补偿所述初始针压，以获得当前针压；

测试单元，其被配置为采用所述当前针压测试所述当前测试区域内的待测芯片。

8.如权利要求7所述的晶圆测试装置，其特征在于，所述初始针压获取单元包括：

测试模块，其被配置为采用一针压测试所述初始测试区域内的待测芯片；

判断模块，其被配置为判断测试结果是否为电性导通，若是，则所述针压为初始针压，若否，则调整所述针压，直至测试结果为电性导通。

9.如权利要求7所述的晶圆测试装置，其特征在于，所述高度差获取单元包括：

量测相机，其被配置为量测其与每个所述测试区域内的待测芯片之间的垂直距离；

计算模块，其被配置为计算当前测试区域内的待测芯片对应的所述垂直距离与初始测试区域内的待测芯片对应的所述垂直距离之间的差值，以获得所述高度差。

10.如权利要求7所述的晶圆测试装置，其特征在于，所述测试单元包括探针卡，所述探针卡上设置有一个探针。

11.如权利要求7所述的晶圆测试装置，其特征在于，获取所述当前测试区域与所述初始测试区域内的待测芯片之间的高度差包括：获取所述当前测试区域与所述初始测试区域内的处于中间位置的待测芯片之间的高度差。

12.一种计算机存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至6中任一项所述的晶圆测试方法。