[发明专利]一种超低轮廓铜箔及制备方法

权利要求书

1.一种超低轮廓铜箔，其特征在于：包括有机薄膜层、过渡金属层和金属剥离层及铜箔层；

有机薄膜层为载体，过渡金属层位于有机薄膜层上表面，金属剥离层位于过渡金属层表面，铜箔层位于金属剥离层表面；

有机薄膜层厚度为25-125μm，过渡金属层为20-150nm，金属剥离层为1-5μm，铜箔层厚度为1-18μm。

2.如权利要求1所述的一种超低轮廓铜箔，其特征在于：所述铜箔层的表面还覆盖有抗氧化膜。

3.如权利要求2所述的一种超低轮廓铜箔，其特征在于：所述金属剥离层表面设置有抗氧化层。

4.如权利要求3所述的一种超低轮廓铜箔，其特征在于：所述抗氧化层为有机溶剂覆盖层。

5.如权利要求1所述的一种超低轮廓铜箔，其特征在于：所述有机薄膜层为PET膜或PI膜。

6.如权利要求1所述的一种超低轮廓铜箔，其特征在于：所述过渡金属层材质为镍、铜、铬、钛或铁，或者为镍、铜、铬、钛、铁中两者或两者以上的合金；所述金属剥离层材质为铜、镍、铬、镍铬合金、氧化铝、氧化铌中的一种或多种。

7.一种超低轮廓铜箔的制备方法，其特征在于：

包括以下步骤：

S1，对有机薄膜层的上表面进行等离子表面处理；

S2，在机薄膜层的上表面采用磁控溅射镀一层过渡金属层；

S3，在过渡金属层表面电镀一层金属剥离层；

S4，在金属剥离层表面电镀一层铜箔层。

8.如权利要求7所述的一种超低轮廓铜箔的制备方法，其特征在于：步骤S3还包括在所述金属剥离层表面设置抗氧化层，抗氧化层为所述金属剥离层采用浸泡或涂覆方式形成的有机溶剂覆盖层。

9.如权利要求7所述的一种超低轮廓铜箔的制备方法，其特征在于：步骤S4还包括在对铜箔层表面进行粗化面处理，同步在其粗面化处理面上实施电化学处理或化学处理形成抗氧化膜，粗化面处理方式为电镀铜微细粒子的粗化电镀、化学刻蚀处理或电化学刻蚀处理中的一种。

10.如权利要求7所述的一种超低轮廓铜箔的制备方法，其特征在于：步骤S1中在真空室内对有机薄膜层的上表面进行等离子表面处理，等离子处理功率为0.5-2KW，真空室内气体为氩气、氮气和氧气中一种或多种气体，气体压力为1×10^-2-2×10²Pa；步骤S2中采用磁控溅射镀层时，靶材为铜、镍、镍铬合金、钛、铁、氧化铌中的一种或多种，磁控溅射的气体为氩气、氮气和氧气中一种或多种混合气体，真空度为2×10^-1-3×10^-3Pa，靶电流5-15A。