[发明专利]一种硫银锗矿型硫化物电解质及其制备方法

权利要求书

1.一种硫银锗矿型硫化物电解质，其特征在于，所述硫银锗矿型硫化物电解质为Li_6+xZr_xP_1-xS₅PF₆，0＜x≤0.25。

2.一种如权利要求1所述的硫银锗矿型硫化物电解质的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

S1、将LiPF₆、S源、P源、和ZrS₂按照Li:Zr:P:S:PF₆^-摩尔比为(6+x)：x：1-x：5:1进行预混合后球磨，得前驱体粉末；

S2、将前驱体粉末过筛、压片得片状电解质；

S3、将片状电解质烧结，得所述的硫银锗矿型硫化物固态电解质。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤S1中所述S源包括S、H₂S、P₂S₅、P₄S₉、P₄S₃、Li₂S₂、Li₂S中一种或几种。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤S1中所述P源包括P、P₂S₅、P₄S₉、P₄S₃、P₄S₆、P₄S₅中一种或几种。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤S1中所述预混合是手工研磨。

6.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤S1中所述球磨是机械球磨，球磨的转速为200-500rpm，球磨时间2-50h。

7.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤S2中所述压片的压制压力为300-500MPa。

8.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤S3中所述烧结的温度为350-700℃，烧结时间为1-10h。

9.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤S3所得硫银锗矿型硫化物电解质的厚度为200–1000μm。

10.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所有步骤均在惰性气氛保护的条件下进行。