[发明专利]一种单层耦合雷达波吸波结构

说明书

本发明公开一种单层耦合雷达波吸波结构，包括：介质层、若干第一电阻膜层、若干第二电阻膜层，所述的若干第一电阻膜层与所述的若干第二电阻膜层交替设置于所述介质层上；所述第一电阻膜层内设置有至少一个第一电阻环，所述第一电阻环的环宽为W1，且1mm≤W18mm；所述第一电阻环的方阻为Rs1，且20Ω/sq≤Rs1≤2000Ω/sq；所述第二电阻膜层内设置有至少一个第二电阻环，所述第二电阻环的环宽为W2，且1mm≤W28mm，且W1不等于W2；所述第一电阻环的方阻为Rs2，且20Ω/sq≤Rs2≤2000Ω/sq，且Rs1不等于Rs2。本发明通过将第一电阻膜层、第二电阻膜层交替设置于介质层上，实现不同频段、峰值的电磁波的耦合吸收，有效提升吸波结构的吸波性能。

技术领域

本发明涉及吸波材料领域，尤其涉及一种单层耦合雷达波吸波结构。

背景技术

现有技术中，提升吸波材料的吸波性能主要有以下三种方式：一是实现吸波材料和入射端材料良好的阻抗匹配特性，使电磁能量尽可能进入材料内部，减少界面反射；二是增强材料内部对电磁波的损耗能力，使进入材料内部的电磁能量被快速消耗；三是增强材料对电磁波的散射效应，以增加电磁波与材料的作用次数以及减少沿来波方向反射回去的电磁波比重。

传统的吸波材料如铁基材料、炭基材料等，若要实现较宽的带宽的电磁波的吸收，需增加其厚度，导致吸波材料的厚度较厚，且即使增加其厚度，其吸收电磁波的强度与吸收宽度往往也难以满足要求，导致其吸波效果差，吸波频带较窄。

因此，现有技术存在缺陷，需要改进。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术的不足，提供一种单层耦合雷达波吸波结构，解决现有技术中，吸波材料的吸波效果差，吸波频带窄的问题。

本发明的技术方案如下：一种单层耦合雷达波吸波结构，包括：金属背板、与所述金属背板连接的介质层、设置在所述介质层上的若干第一电阻膜层和若干第二电阻膜层，所述的若干第一电阻膜层与所述的若干第二电阻膜层交替设置于所述介质层上；所述第一电阻膜层内设置有至少一个第一电阻环，所述第一电阻环的环宽为W1，且1mm≤W18mm；所述第一电阻环的方阻为Rs1，且20Ω/sq≤Rs1≤2000Ω/sq；所述第二电阻膜层内设置有至少一个第二电阻环，所述第二电阻环的环宽为W2，且1mm≤W28mm，且所述W1不等于W2；所述第一电阻环的方阻为Rs2，且20Ω/sq≤Rs2≤2000Ω/sq，且所述Rs1不等于Rs2。

优选地，所述第一电阻环的环宽为W1，且3mm≤W1≤5mm；所述第一电阻环为方环、圆环中的至少一种。

优选地，所述第二电阻环的环宽为W2，且3mm≤W2≤5mm；所述第二电阻环均为正多边形环、圆环中的至少一种。

优选地，所述第一电阻环的外环边长或直径为L1，且2mm≤L1≤16mm；所述第二电阻环的外环边长或直径为L2，且2mm≤L1≤16mm。

优选地，所述第一电阻膜层的边长或直径为R1，且20mm≤R1≤40mm；所述第二电阻膜层的边长或直径为R2，且20mm≤R2≤40mm。

优选地，所述第一电阻膜层、第二电阻膜层的材料均为石墨烯和/或氧化铟锡和/或导电聚合物和/或石墨和/或乙炔炭黑。

优选地，所述介质层的厚度为d，且1mm≤d≤10mm。

优选地，所述介质层的相对介电常数为ε，且1≤ε≤5。

优选地，所述介质层的材料为发泡聚丙烯或发泡聚苯乙烯或发泡聚氯乙烯或瓦楞纸板或蜂窝材料。

优选地，所述金属背板的材料为金或银或铜或铁或铝或合金。

采用上述方案，本发明提供的一种单层耦合雷达波吸波结构，具有以下有益效果：