[发明专利]一种混合型载流子控制器件

权利要求书

1.一种混合型载流子控制器件，其特征在于，包括主要工作单元以及至少一个耗尽型PMOS结构；所述主要工作单元包括栅控区以及晶闸管区，所述栅控区、耗尽型PMOS区以及晶闸管区从上而下设置，各所述耗尽型PMOS结构以相邻的形式并列设置；

所述栅控区包括第一电极（111）、第一绝缘材料（201）、第二绝缘材料（211）、第四电极（141）、第四电极重掺杂欧姆接触区（301）以及第四电极基区（401）；

所述第一电极（111）设置于所述第一绝缘材料（201）内，所述第四电极基区（401）设置于所述第四电极（141）下端，所述第四电极重掺杂欧姆接触区（301）设置于所述第四电极基区（401）内，且位于所述第一绝缘材料（201）的侧边；

所述栅控区包括第一电极（111）、第一绝缘材料（201）、第二电极（121）、第二绝缘材料（211）、第四电极（141）、第四电极重掺杂欧姆接触区（301）以及第四电极基区（401）；

所述第一电极（111）设置于所述第一绝缘材料（201）内，所述第二电极（121）设置于所述第二绝缘材料（211）内，所述第四电极基区（401）设置于所述第四电极（141）下端，所述第四电极重掺杂欧姆接触区（301）设置于所述第四电极基区（401）内，且分别位于所述第一绝缘材料（201）和第二绝缘材料（211）的侧边；

各所述耗尽型PMOS区均包括第三电极（131）、第五电极（151）、第三绝缘材料（221）、第五电极重掺杂欧姆接触区（411）、第一耗尽区域（431）以及第二导电类型半导体（461）；各所述耗尽型PMOS区按所述第五电极重掺杂欧姆接触区（411）和第一耗尽区域（431）均与第三绝缘材料（221）相接触连接的形式并列设置；

所述第三电极（131）设置于所述第三绝缘材料（221）内，所述第五电极（151）设置在所述第三绝缘材料（221）和第二绝缘材料（211）间，所述第五电极重掺杂欧姆接触区（411）设置在所述第五电极（151）下端，所述第一耗尽区域（431）设置在所述第五电极重掺杂欧姆接触区（411）下端，所述第二导电类型半导体（461）设置在所述第二绝缘材料（211）、第一耗尽区域（431）和第三绝缘材料（221）下端，所述晶闸管区与所述第二导电类型半导体（461）相邻，所述第一绝缘材料（201）设置在远离所述第二导电类型半导体（461）的一端；

所述晶闸管区包括第一晶体管发射区（311）、第一晶体管基区（451）、第一晶体管集电极区（321）、缓冲区（331）、阳极发射区（471）以及第七电极（101）；

所述第一晶体管发射区（311）设置于所述第四电极基区（401）下端，所述第一晶体管基区（451）设置于所述第一晶体管发射区（311）和第二绝缘材料（211）下端；所述第一晶体管集电极区（321）设置于所述第一绝缘材料（201）、第一晶体管基区（451）和第二导电类型半导体（461）下端，所述缓冲区（331）和阳极发射区（471）依次设置在所述第一晶体管集电极区（321）下端，所述第七电极（101）设置于所述阳极发射区（471）下端，所述第一晶体管基区（451）与所述第二导电类型半导体（461）相邻；

所述第一晶体管基区（451）与所述第二导电类型半导体（461）掺杂的浓度不同。