[发明专利]一种电解电容耐低频充放电性能组合测试装置

权利要求书

1.一种电解电容耐低频充放电性能组合测试装置，其特征在于，包括直流电源DC、储能电容C、充电开关Sch、充电限流电阻Rch、充电限流电阻短接开关Ssht、放电开关Sdisch、放电限流电阻Rdis、第一电磁继电器Sa、被测电解电容CT、第二电磁继电器Sb、电流检测电阻Rcs2、二极管D1、运算放大器OP、AD转换器、单片机MCU、电脑PC、数字温度传感器RT以及LCR数字电桥，其中，所述直流电源DC的正极分别连接所述储能电容C的正极和所述充电开关Sch的2端，所述直流电源DC的负极分别连接所述储能电容C的负极、所述放电限流电阻Rdis的2端、所述第二电磁继电器Sb的常闭端3端、所述电流检测电阻Rcs2的2端、所述二极管D1的负极以及所述运算放大器OP的反相输入端，所述充电开关Sch的1端分别连接所述充电限流电阻Rch的1端和所述充电限流电阻短接开关Ssht的2端，所述充电限流电阻Rch的2端分别连接所述放电开关Sdisch的2端、所述电磁继电器Sa的常闭端2端以及所述充电限流电阻短接开关Ssht的1端，所述放电开关Sdisch的1端与所述放电限流电阻Rdis的1端相连，所述第一电磁继电器Sa的公共端1端与所述被测电解电容CT的正极相连，所述第一电磁继电器Sa的公共端5端与所述被测电解电容CT的负极相连，所述第一电磁继电器Sa的常闭端4端分别连接所述第二电磁继电器Sb的公共端2端、所述二极管D1的正极和所述运算放大器OP的同相输入端，所述第一电磁继电器Sa的常开端3端与所述LCR数字电桥的HC、HP端相连，所述第一电磁继电器Sa的常开端6端与所述LCR数字电桥的LC、LP端相连，所述第二电磁继电器Sb的常开端1端与所述电流检测电阻Rcs2的1端相连，所述运算放大器OP的输出端与所述AD转换器的模拟输入口相连，所述AD转换器的数字输出端与所述MCU的I/O口1端相连，所述MCU通过USB接口6端与所述电脑PC进行通讯，所述电脑PC又通过RS232串口与所述LCR数字电桥进行通讯，所述数字温度传感器RT与所述MCU的总线7端相连，所述单片机MCU的I/O口3端、4端、5端分别经隔离放大后与所述放电电子开关Sdisch的控制端3端、所述充电限流电阻短接开关Ssht的控制端3端、所述充电电子开关Sch的控制端3端对应连接，所述MCU的I/O口8端经过放大后与所述第一电磁继电器Sa连接，所述MCU的I/O口2端经过放大后与所述第二电磁继电器Sb连接。

2.根据权利要求1所述一种电解电容耐低频充放电性能组合测试装置，其特征在于，所述充电开关Sch为三极管、MOS管或IGBT，所述放电开关Sdisch为三极管、MOS管或IGBT。

3.根据权利要求1所述一种电解电容耐低频充放电性能组合测试装置，其特征在于，所述充电限流电阻Rch用于决定充电速度，所述放电限流电阻Rdis用于决定放电速度。

4.根据权利要求1所述一种电解电容耐低频充放电性能组合测试装置，其特征在于，所述充电限流电阻短接开关Ssht为电子开关或电磁继电器，用于漏电流测试时，将所述充电限流电阻Rch短路。

5.根据权利要求1所述一种电解电容耐低频充放电性能组合测试装置，其特征在于，所述第一电磁继电器Sa包括双刀双掷开关，所述第二电磁继电器Sb包括单刀双掷开关。

6.根据权利要求1所述一种电解电容耐低频充放电性能组合测试装置，其特征在于，所述电流检测电阻Rcs2用于将所述被测电解电容CT的漏电流信号转换为电压信号。

7.根据权利要求6所述一种电解电容耐低频充放电性能组合测试装置，其特征在于，所述运算放大器OP用于将电压信号放大。

8.根据权利要求7所述一种电解电容耐低频充放电性能组合测试装置，其特征在于，所述AD转换器用于将放大后的模拟电压信号转换为数字电压信号，供所述单片机MCU数字处理。