[发明专利]一种晶圆加热盘的温度补偿方法有效
| 申请号： | 202210443698.9 | 申请日： | 2022-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN114864441B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 张志强;郑长吉 | 申请（专利权）人： | 上海稷以科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海邦德专利代理事务所(普通合伙) 31312 | 代理人： | 梁剑 |
| 地址： | 201100 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 加热 温度 补偿 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶圆加热盘的温度补偿方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1：在常见的等离子去胶工艺温度40℃到280℃中，用RTD晶圆传感器作为模拟晶圆置于加热盘上；
S2：将加热盘温度设定到某一固定值X℃，读取晶圆传感器的九点温度均值作为该加热盘下的晶圆实际温度N，在设定X值上增加合适Y值，在充分均匀加热后，使得晶圆实际温度N趋近于X，误差范围在±0.5℃范围内，此时Y值就称为晶圆在加热盘设定温度X下的补偿值；
S3：选取该温度段常见工艺温度为节点进行温度补偿后，由软件采用Lagrange分段线性插值方式，给出整个区间一定的温度补偿，确保晶圆实际温度与工艺设定温度的偏差在工程要求之内，保证工艺的稳定性；其中采用Lagrange分段线性插值方式的具体步骤如下：在常见的灰化工艺温度段40-280℃中，选取合理的温度节点，如：x0≤x1≤x2≤x3≤x4≤x5≤x6≤x7…xn，使用RTD晶圆传感器模拟测温对该温度节点给出相应的温度补偿值：y0、y1、y2、y3、y4、y5、y6、y7…yn，再通过Lagrange分段线性插值方式，便可得出在40℃-280℃之间任意温度x的补偿温度Lh(x)，其表达式如下：
其中，
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
