[发明专利]一种可控合成暴露晶面的ZnMn2

权利要求书

1.一种暴露晶面的ZnMn₂O₄催化剂的应用，其特征在于，包括如下步骤：

S100、以Mn(CH₃COO)₂·4H₂O和Zn(CH₃COO)₂·2H₂O为原料，加入草酸、乙醇和N-N二甲基甲酰胺溶液，并通过溶剂热反应，得到ZnMn₂O₄前驱体；

S200、将ZnMn₂O₄前驱体在600℃和空气的条件下得到暴露{010}晶面的ZnMn₂O₄催化剂，采用所述暴露晶面的ZnMn₂O₄催化剂，对甲苯进行光热催化氧化。

2.根据权利要求1所述的一种暴露晶面的ZnMn₂O₄催化剂的应用，其特征在于，所述溶剂热反应的反应温度为140℃～200℃，反应时间为5-20h。

3.根据权利要求1所述的一种暴露晶面的ZnMn₂O₄催化剂的应用，其特征在于，所述乙醇和所述N-N二甲基甲酰胺的体积比例为3:2，所述草酸含量为1-2g。

4.根据权利要求1所述的一种暴露晶面的ZnMn₂O₄催化剂的应用，其特征在于，所述S200具体为：

将ZnMn₂O₄前驱体置于马弗炉中，升温保持一定时间，结束后冷却至室温，得到暴露{010}晶面的ZnMn₂O₄催化剂。

5.根据权利要求4所述的一种暴露晶面的ZnMn₂O₄催化剂的应用，其特征在于，所述升温保持一定时间具体为升温速率为2℃/min，升温到600℃，保持600℃恒温煅烧2-10h。