[发明专利]存储系统、以及三维存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种三维存储器，其特征在于，包括：

堆叠结构，包括交替堆叠的绝缘层和栅极层，所述堆叠结构还包括台阶区，所述台阶区包括沿第一方向排布的多个分区，相邻的两个所述分区之间具有分界区，每个所述分区包括沿第二方向设置的多级台阶；在所述分界区内，相邻台阶的交界部位构成交界结构；所述第一方向与所述第二方向相互交叉，且分别与所述绝缘层和所述栅极层的堆叠方向垂直；以及

栅线缝隙结构，所述栅线缝隙结构贯穿所述堆叠结构；其中部分所述栅线缝隙结构位于所述分界区、并贯穿至少一个所述交界结构。

2.根据权利要求1所述的三维存储器，其中，位于所述分界区的所述栅线缝隙结构，长度沿所述第二方向延伸。

3.根据权利要求2所述的三维存储器，其中，位于所述分界区的所述栅线缝隙结构在相邻的两个所述交界结构之间断开。

4.根据权利要求2或3所述的三维存储器，其中，每个所述分界区均设置有所述栅线缝隙结构。

5.根据权利要求4所述的三维存储器，其中，位于所述分界区的每个所述栅线缝隙结构均贯穿至少一个所述交界结构。

6.根据权利要求1或2所述的三维存储器，其中，所述台阶的顶面为所述栅极层的顶面，所述三维存储器还包括位于各个所述台阶的顶面的加厚部，其中，所述加厚部由导电材料形成，且所述加厚部与相邻于该加厚部所在的台阶的上层台阶的端面之间具有间隔。

7.根据权利要求6所述的三维存储器，其中，所述三维存储器还包括：

介质层，至少覆盖所述台阶区，将各个所述加厚部和相邻的台阶的端面间隔开。

8.根据权利要求7所述的三维存储器，其中，所述三维存储器还包括：

栅极接触部，由导电材料形成，贯穿所述介质层并延伸至所述加厚部。

9.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成电介质叠层结构；

在所述电介质叠层结构的台阶区沿第一方向形成多个分区，其中，沿第二方向每个所述分区包括多级台阶，相邻的两个所述分区之间具有分界区，在所述分界区内，相邻台阶的交界部位构成交界结构；所述第一方向与所述第二方向相互交叉，且分别与所述电介质叠层结构的堆叠方向垂直；以及

形成贯穿所述电介质叠层结构的栅线缝隙结构；其中部分所述栅线缝隙结构位于所述分界区、并贯穿至少一个所述交界结构。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述电介质叠层结构包括交替堆叠的多个栅极牺牲层和绝缘层，所述栅极牺牲层暴露于所述台阶的顶面，以及

在形成贯穿所述电介质叠层结构的栅线缝隙结构之前，所述方法还包括：

形成覆盖于所述台阶的顶面上的、与相邻的上层台阶的端面具有间隙的缓冲层；

形成至少覆盖所述缓冲层、并填充于所述间隙的介质层。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，形成贯穿所述电介质叠层结构的栅线缝隙结构包括：

在所述电介质叠层结构远离所述衬底的一侧形成掩模板；

对所述掩模板进行图案化以在其中形成包括至少一个栅线缝隙图形的栅线缝隙排布图案，所述栅线缝隙图形沿长度方向覆盖至少一个所述交界结构；

经由所述栅线缝隙排布图案刻蚀所述电介质叠层结构，去除所述电介质叠层结构的包括所述交界结构的部分，形成贯穿所述电介质叠层结构的栅线缝隙；以及

在所述栅线缝隙中形成所述栅线缝隙结构。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，位于所述分界区的所述栅线缝隙结构的长度沿所述第二方向延伸。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，位于所述分界区的所述栅线缝隙结构在相邻的两个所述交界结构之间断开。