[发明专利]一种晶圆级封装方法在审

专利信息
申请号: 202210435094.X 申请日: 2022-04-24
公开(公告)号: CN114999928A 公开(公告)日: 2022-09-02
发明(设计)人: 杜茂华 申请(专利权)人: 通富微电子股份有限公司
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人: 李秀云
地址: 226000 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 晶圆级 封装 方法
【权利要求书】:

1.一种晶圆级封装方法,其特征在于,包括:

在芯片的功能面一侧形成第一介电层,所述第一介电层对应焊盘位置处设置有第一开口,至少部分所述焊盘通过所述第一开口露出;

在所述第一介电层远离所述芯片一侧形成再布线层,所述再布线层包括多个再布线,且一个所述再布线通过一个所述第一开口与一个所述焊盘电连接;其中,至少一个所述再布线包括间隔设置的第一部和第二部;

在所述再布线层远离所述芯片一侧形成至少一个连接线;其中,所述连接线跨接设置于同一所述再布线的所述第一部和所述第二部的上方,以使同一所述再布线的所述第一部通过所述连接线与所述第二部电连接。

2.根据权利要求1所述的晶圆级封装方法,其特征在于,所述在芯片的功能面一侧形成第一介电层之前,包括:

将芯片设置于载板上,所述芯片包括相对设置的功能面和非功能面,且所述功能面朝向所述载板;在所述载板设置有芯片一侧表面形成塑封层,所述塑封层覆盖所述芯片的侧面和非功能面;

或者,提供包括多个芯片的晶圆,所述芯片的功能面上设置有多个焊盘。

3.根据权利要求1所述的晶圆级封装方法,其特征在于,所述在所述再布线层远离所述芯片一侧形成至少一个连接线的步骤,包括:

在所述再布线层远离所述芯片一侧形成第二介电层,在所述第二介电层对应所述第一部和所述第二部的位置处分别形成第二开口;

在所述第二介电层远离所述芯片一侧形成至少一个所述连接线,一个所述连接线通过所述第二开口与同一所述再布线的所述第一部和所述第二部电连接。

4.根据权利要求3所述的晶圆级封装方法,其特征在于,所述在所述再布线层远离所述芯片一侧形成至少一个连接线的步骤之后,包括:

在所述第二介电层上形成第三开口,部分所述再布线从所述第三开口中露出;

在所述第三开口内形成球下金属层,所述球下金属层与从所述第三开口中露出的部分所述再布线电连接;

在所述球下金属层上形成焊球。

5.根据权利要求3所述的晶圆级封装方法,其特征在于,

所述在所述第二介电层远离所述芯片一侧形成至少一个所述连接线的步骤之前,包括:在所述第二介电层上形成第三开口,部分所述再布线从所述第三开口中露出;

所述在所述第二介电层远离所述芯片一侧形成至少一个所述连接线的步骤,包括:在所述第二介电层远离所述芯片一侧同时形成所述连接线和球下金属层;其中,所述球下金属层与所述连接线由相同材质形成,一个所述连接线通过所述第二开口与同一所述再布线的所述第一部和所述第二部电连接,所述球下金属层通过所述第三开口与从所述第三开口中露出的部分所述再布线电连接。

6.根据权利要求4所述的晶圆级封装方法,其特征在于,所述在所述再布线层远离所述芯片一侧形成至少一个连接线的步骤之后,还包括:

在所述第二介电层远离所述芯片一侧设置保护层,所述保护层覆盖所述连接线从所述第二介电层中露出的部分。

7.根据权利要求6所述的晶圆级封装方法,其特征在于,所述在所述第二介电层远离所述芯片一侧设置保护层的步骤,包括:

在所述第二介电层背离所述芯片一侧设置网格板,所述网格板对应所述连接线的位置处设置有第四开口,所述连接线从所述第四开口中露出;

在所述第四开口内形成所述保护层;

去除所述网格板。

8.根据权利要求6所述的晶圆级封装方法,其特征在于,所述在所述第二介电层远离所述芯片一侧设置保护层的步骤包括:

提供保护层,所述保护层包括相背设置的第一表面和第二表面,所述第二表面具有粘性;

利用吸附装置吸附所述保护层的第一表面,并将所述保护层的第二表面朝向所述连接线设置;

使所述保护层与所述连接线贴合并且所述第二表面覆盖所述连接线从所述第二介电层中露出的部分。

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