[发明专利]显示基板及其制备方法、显示装置在审
| 申请号: | 202210431318.X | 申请日: | 2022-04-22 |
| 公开(公告)号: | CN114725178A | 公开(公告)日: | 2022-07-08 |
| 发明(设计)人: | 尤娟娟;卜斌 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 解婷婷;曲鹏 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
一种显示基板及其制备方法、显示装置。显示基板包括依次叠设在基板上的彩膜层、色转换层、WOLED功能层,其中,WOLED功能层设置为发出白光,白光经过色转换层、彩膜层后从基板射出;彩膜层包括间隔设置的多个红色彩膜区、绿色彩膜区、蓝色彩膜区和白色彩膜区;色转换层包括第一色转换区,第一色转换区与白色彩膜区相对应,设置为将来自WOLED功能层的白光中的绿光部分转换成红光。
技术领域
本文涉及但不限于显示技术,尤指一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
白光有机发光二极管(White Organic Light-Emitting Diode,WOLED)显示基板在制备时由于不受精细金属掩膜版(Fine Metal Mask,FMM)的限制,广泛应用于大尺寸及超大尺寸TV显示领域,或者超高分辨率的增强现实(Augmented Reality,AR)/虚拟现实(Virtual Reality,VR)显示领域。一些技术中,WOLED显示装置存在显示功耗高的问题。
发明内容
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
本公开实施例提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置,解决了WOLED显示装置的显示功耗高的问题。
第一方面,本公开实施例提供了一种显示基板,所述显示基板包括依次叠设在基板上的彩膜层、色转换层、WOLED功能层,其中,所述WOLED功能层设置为发出白光,所述白光经过所述色转换层、所述彩膜层后从所述基板射出;所述彩膜层包括间隔设置的多个红色彩膜区、绿色彩膜区、蓝色彩膜区和白色彩膜区;所述色转换层包括第一色转换区,所述第一色转换区与所述白色彩膜区相对应,设置为将来自所述WOLED功能层的白光中的绿光部分转换成红光。
在一些示例性实施方式中,所述色转换层还包括第二色转换区和第三色转换区中至少之一;其中,所述第二色转换区与所述红色彩膜区相对应,设置为将来自所述WOLED功能层的白光中的蓝光部分转换成红光;所述第三色转换区与所述绿色彩膜区相对应,设置为将来自所述WOLED功能层的白光中的蓝光部分转换成绿光。
在一些示例性实施方式中,所述WOLED功能层包括在垂直于所述基板方向上依次叠设的第一蓝色有机发光层、绿色有机发光层、红色有机发光层和第二蓝色有机发光层;所述绿色有机发光层的材料包括双主体材料,且所述双主体材料中的至少一支主体材料的HOMO能级大于或等于5.5电子伏特。
在一些示例性实施方式中,所述第一色转换区的材料的最大发光波长大于或等于580纳米,且小于或等于660纳米;所述第一色转换区的材料的吸收光谱与所述WOLED功能层发射光谱中绿色发光光谱存在交叠,且交叠部分的面积大于所述绿色发光光谱面积的30%。
在一些示例性实施方式中,所述第一色转换区的材料的吸收光谱与所述WOLED功能层发射光谱中蓝色发光光谱不存在交叠。
在一些示例性实施方式中,所述第二色转换区的材料的最大发光波长大于或等于580纳米,且小于或等于660纳米;所述第二色转换区的材料的吸收光谱与所述WOLED功能层发射光谱中蓝色发光光谱和绿色发光光谱存在交叠,且与所述蓝色发光光谱和绿色发光光谱的交叠总面积大于所述蓝色发光光谱和绿色发光光谱面积之和的90%。
在一些示例性实施方式中,所述第三色转换区的材料的最大发光波长大于或等于480纳米,且小于或等于580纳米;所述第三色转换区的材料的吸收光谱与所述WOLED功能层发射光谱中蓝色发光光谱存在交叠,且交叠部分的面积大于所述蓝色发光光谱面积的90%。
在一些示例性实施方式中,所述基板包括基底及设置在所述基底上的驱动结构层,所述驱动结构层包括像素驱动电路,所述驱动结构层设置为驱动所述WOLED功能层发光。
在一些示例性实施方式中,所述显示基板还包括封装层,所述封装层位于所述WOLED功能层远离所述基板的一侧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





