[发明专利]后端有源组件、半导体组件以及半导体芯片

权利要求书

1.一种有源组件，包括：

通道层；

顶源极/漏极电极，设置于所述通道层的顶侧；

第一底源极/漏极电极与第二底源极/漏极电极，设置于所述通道层的底侧；

第一栅极结构与第二栅极结构，位于所述顶源极/漏极电极与所述第一底源极/漏极电极之间，且经由所述通道层而彼此分隔开，其中所述第一栅极结构包括非铁电介电层，且所述第二栅极结构包括铁电层；以及

第三栅极结构与第四栅极结构，位于所述顶源极/漏极电极与所述第二底源极/漏极之间，且经由所述通道层而彼此分隔开，其中所述第三栅极结构包括非铁电介电层，且所述第四栅极结构包括铁电层。

2.根据权利要求1所述的有源组件，其中所述铁电层分别具有极化方向指向所述通道层的第一电极化态。

3.根据权利要求2所述的有源组件，其中所述通道层为N型，且包括所述第二栅极结构的子晶体管与包括所述第四栅极结构的子晶体管分别具有负起始电压。

4.根据权利要求2所述的有源组件，其中所述有源组件经配置为反或门。

5.根据权利要求1所述的有源组件，其中所述铁电层分别具有极化方向朝远离所述通道层的方向指向的第二电极化态。

6.根据权利要求5所述的有源组件，其中所述通道层为N型，且包括所述第二栅极结构的子晶体管与包括所述第四栅极结构的子晶体管具有正起始电压。

7.根据权利要求2所述的有源组件，其中所述有源组件经配置为反及门。

8.根据权利要求1所述的有源组件，其中所述铁电层中的一者具有极化方向指向所述通道层的第一电极化态，且所述铁电层中的另一者具有极化方向朝远离所述通道层的方向指向的第二电极化态。

9.一种半导体组件，包括：

有源组件，分别包括：

第一通道层；

第一顶源极/漏极电极，设置于所述第一通道层的顶侧；

第一底源极/漏极电极与第二底源极/漏极，设置于所述第一通道层的底侧；

第一栅极结构与第二栅极结构，位于所述第一顶源极/漏极电极与所述第一底源极/漏极电极之间，其中所述第一栅极结构包括非铁电介电层，且所述第二栅极结构包括铁电层；以及

第三栅极结构与第四栅极结构，位于所述第一顶源极/漏极电极与所述第二底源极/漏极电极之间，其中所述第三栅极结构包括非铁电介电层，且所述第四栅极结构包括铁电层；以及

记忆胞元，在侧向上邻近所述有源组件，且分别包括存取晶体管与耦合至所述存取晶体管的存储单元。

10.根据权利要求9所述的半导体组件，其中所述有源组件与所述记忆胞元嵌入于形成在半导体衬底之上的介电层堆叠中。

11.根据权利要求9所述的半导体组件，其中所述存取晶体管包括：

第二通道层；

第二顶源极/漏极电极，设置于所述第二通道层的顶侧；

第五栅极结构与第六栅极结构，设置于所述第二通道层的所述顶侧，其中所述第二顶源极/漏极电极位于所述第五栅极结构与所述第六栅极结构之间；

第三底源极/漏极电极与第四底源极/漏极电极，设置于所述第二通道层的底侧；以及

第七栅极结构，设置于所述第二通道层的所述底侧，且位于所述第三底源极/漏极电极与所述第四底源极/漏极电极之间。

12.一种半导体芯片，包括：

衬底；

第一有源组件，形成于所述衬底上；

介电层堆叠，形成于所述衬底且覆盖所述第一有源组件；以及

第二有源组件，嵌入于所述介电层堆叠中，且包括：

通道层；

顶源极/漏极电极，设置于所述通道层的顶侧；

第一底源极/漏极电极与第二底源极/漏极电极，设置于所述通道层的底侧；

第一栅极结构与第二栅极结构，位于所述顶源极/漏极电极与所述第一底源极/漏极电极之间，其中所述第一栅极结构包括非铁电介电层，且所述第二栅极结构包括铁电层；以及

第三栅极结构与第四栅极结构，位于所述顶源极/漏极电极与所述第二底源极/漏极电极之间，其中所述第三顶栅极结构包括非铁电介电层，且所述第四栅极结构包括铁电层。