[发明专利]金红石结构高熵氧化物粉体及陶瓷的制备方法有效
申请号: | 202210424523.3 | 申请日: | 2022-04-21 |
公开(公告)号: | CN114988864B | 公开(公告)日: | 2023-06-09 |
发明(设计)人: | 于跃;刘世民;董闯 | 申请(专利权)人: | 大连交通大学 |
主分类号: | C04B35/457 | 分类号: | C04B35/457 |
代理公司: | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人: | 房艳萍;李馨 |
地址: | 116028 辽宁*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 金红石 结构 氧化物 陶瓷 制备 方法 | ||
1.一种金红石结构高熵氧化物粉体的制备方法,其特征在于:包括如下操作步骤:
(1)混料:将粉料、研磨球和无水乙醇加入球磨罐;其中粉料为TiO2、SnO2、Nb(OH)5、Ta2O5、Ga2O3,粉料中TiO2、SnO2、Nb(OH)5、Ta2O5与Ga2O3的金属元素的原子比为(1~6):(1~6):(1~5):(1~5):(1~5),粉料、研磨球与无水乙醇的质量比为1:(3~5):(15~25);
(2)球磨:使用球磨机对上述粉料进行研磨,球磨机转速为300~500rpm,球磨时间4-8小时;
(3)煅烧:将研磨后浆料中的研磨球取出,浆料先60~80℃干燥4-8小时,再120℃干燥4~8小时;将干燥好的粉体进行研磨,煅烧,获得金红石结构高熵氧化物粉体;其中所述煅烧的温度为1000~1400℃,时间为1~3小时。
2.根据权利要求1所述的一种金红石结构高熵氧化物粉体的制备方法,其特征在于:粉料中TiO2、SnO2、Nb(OH)5、Ta2O5与Ga2O3的金属元素的原子比为(1~2):(1~2):(1~2):(1~2):(2~4)。
3.根据权利要求1所述的一种金红石结构高熵氧化物粉体的制备方法,其特征在于:所述的TiO2、SnO2、Nb(OH)5、Ta2O5与Ga2O3的金属元素的原子比为(1.0~1.2):(1.0~1.2):(1.0~1.2):(1.0~1.2):(2.0~2.2)。
4.根据权利要求1所述的一种金红石结构高熵氧化物粉体的制备方法,其特征在于:所述粉料、研磨球与无水乙醇的质量比为1:4:19。
5.根据权利要求1所述的一种金红石结构高熵氧化物粉体的制备方法,其特征在于:所述的球磨机转速为400rpm,球磨时间为6小时。
6.根据权利要求1所述的一种金红石结构高熵氧化物粉体的制备方法,其特征在于:所述的干燥条件为:先80℃干燥6小时,再120℃干燥6小时;所述的煅烧的温度为1300℃,时间为2小时。
7.根据权利要求1所述的金红石结构高熵氧化物粉体的制备方法,其特征在于:所述的研磨球为二氧化锆研磨球。
8.一种金红石结构高熵氧化物陶瓷的制备方法,其特征在于:包括如下操作步骤:将权利要求1-7中任意一项所述的制备方法制得的金红石结构高熵氧化物粉体进行压片,烧结,获得金红石结构高熵氧化物陶瓷;其中所述压片压力为30~100Mpa,保压时间1~3分钟,烧结温度为1200~1400℃,烧结时间为5~10小时。
9.根据权利要求8所述的陶瓷的制备方法,其特征在于:所述的压片压力为70Mpa,保压时间2分钟;所述的烧结温度为1300℃,烧结时间为5小时。
10.根据权利要求8所述的陶瓷的制备方法,其特征在于:步骤(3)中,将干燥好的粉体进行研磨,预烧,煅烧,获得金红石结构高熵氧化物粉体;预烧的条件为:在600~700℃预烧2~4小时。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连交通大学,未经大连交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210424523.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种防交叉感染的引流器
- 下一篇:一种方便喷嘴芯调节的降噪喷嘴