[发明专利]显示面板和显示装置

说明书

本申请公开了一种显示面板和显示装置，显示面板包括衬底、栅极、绝缘阻隔层和有源层，有源层设置于栅极远离或者靠近衬底的一侧，绝缘阻隔层设置于栅极与有源层之间；其中，绝缘阻隔层的材料的禁带宽度大于栅极的材料的功函数。在本申请中，在有源层和栅极之间设置绝缘阻隔层，且绝缘阻隔层的材料的禁带宽度设置为大于栅极的材料的功函数，避免栅极的电子向有源层跃迁，从而避免阈值电压正移，从而提高显示面板的性能。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板和显示装置。

背景技术

目前的晶体管(Thin Film Transistor，TFT)显示面板中，通常包括有源层、栅极以及设置在有源层与栅极之间的栅极绝缘层，而栅极绝缘层的材料的禁带宽度通常小于栅极的材料的功函数，且栅极绝缘层的材料的禁带宽度在长期连续工作的状态下，禁带宽度会进一步下降，从而栅极绝缘层的材料的禁带宽度与栅极的材料的功函数相差较大，导致栅极的电子持续向有源层界面处跃迁，从而导致阈值电压正移，影响TFT显示面板的性能。

发明内容

本申请实施例提供一种显示面板和显示装置，以解决栅极的电子向有源层跃迁的问题。

本申请提供一种显示面板，包括：

衬底；

栅极，设置于所述衬底上；

绝缘阻隔层，设置于所述栅极上，其中，所述绝缘阻隔层的材料的禁带宽度大于所述栅极的材料的功函数；以及

有源层，设置于所述绝缘阻隔层上；以及。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述栅极的材料包括Cu、Al、Ag、Mo、Ti、Sn和Zn中的一种或几种组合，所述绝缘阻隔层的材料的禁带宽度大于5.1eV。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述绝缘阻隔层的材料由金刚石、氮化铝和氮化硼中的一种或几种组合构成。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述绝缘阻隔层的材料包括原子扩散阻挡材料和电子阻挡材料，所述电子阻挡材料包括金刚石、氮化铝和氮化硼中的一种或几种组合，所述原子扩散阻挡材料包括氧化硅和氧化铝中的至少一种。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述绝缘阻隔层由所述原子扩散阻挡材料和所述电子阻挡材料混合构成，所述原子扩散阻挡在所述绝缘阻隔层的材料中的质量占比为10％-95％。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述绝缘阻隔层包括电子阻挡层以及原子扩散阻挡层，所述电子阻挡层以及所述原子扩散阻挡层依次层叠设置于所述栅极上，或者所述原子扩散阻挡层以及所述电子阻挡层依次层叠设置于所述栅极上，所述电子阻挡层由所述电子阻挡材料构成，所述原子扩散阻挡层由所述原子扩散阻挡材料构成。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述有源层的材料为非晶硅，所述显示面板还包括栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置于所述栅极与所述绝缘阻隔层之间，或者设置于所述绝缘阻隔层与所述有源层之间。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述有源层的材料为氧化物半导体，所述显示面板还包括栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置于所述绝缘阻隔层与所述有源层之间。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述显示面板还包括欧姆接触层以及源漏极，所述欧姆接触层设置于所述衬底上，所述有源层包括半导体部和设置于所述半导体部两侧的导通部，所述半导体部在所述衬底上的正投影与所述栅极在所述衬底上的正投影重叠，所述欧姆接触层位于所述导通部上，所述源漏极设置于所述欧姆接触层上。

相应的，本申请还提供一种显示装置，所述显示装置包括背光模组和如上所述的显示面板，所述背光模组与所述显示面板连接。