[发明专利]一种镧锰氧/铱酸锶异质结薄膜制备方法在审
申请号: | 202210416790.6 | 申请日: | 2022-04-20 |
公开(公告)号: | CN114724955A | 公开(公告)日: | 2022-07-08 |
发明(设计)人: | 王学锋;朱长征;刘汝新;张旭;张荣 | 申请(专利权)人: | 南京大学 |
主分类号: | H01L21/363 | 分类号: | H01L21/363;C23C14/08;C23C14/28 |
代理公司: | 滁州弘知润创知识产权代理事务所(普通合伙) 34222 | 代理人: | 林凡燕 |
地址: | 210023 江苏省南京市栖霞*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 镧锰氧 铱酸锶异质结 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种镧锰氧/铱酸锶异质结薄膜制备方法,其特征在于包括以下步骤:
步骤1,对钛酸锶基片进行预处理,将镧锰氧和铱酸锶靶材放入真空腔室中备用;
步骤2,将处理好的钛酸锶基片放入真空腔室内,通入保护混合气体,同时对基片进行加热至一定温度;
步骤3,使用脉冲激光照射铱酸锶靶材上产生等离子体羽辉,在钛酸锶基片上进行铱酸锶薄膜的沉积,沉积过程中通过反射式高能电子衍射仪监控沉积的厚度;
步骤4,保持真空腔室内环境不变,对步骤3所得基片进行原位退火;
步骤5,使用脉冲激光照射镧锰氧靶材,使用如步骤3、4同样方式沉积镧锰氧薄膜以及原位退火,待薄膜自然冷却至室温后,停止通入保护气体,从真空腔室内取出基片完成制备。
2.如权利要求1所述的一种镧锰氧/铱酸锶异质结薄膜制备方法,其特征在于,所述步骤1中对钛酸锶基片预处理方法为:首先在室温下将钛酸锶基片分别在丙酮、无水乙醇中超声清洗,然后在高温下将钛酸锶基片分别在去离子水、王水中超声清洗,最后将处理后的基片在氧气氛围中退火。
3.如权利要求1所述的一种镧锰氧/铱酸锶异质结薄膜制备方法,其特征在于,所述步骤2中的保护混合气体为氧气和臭氧的混合气体。
4.如权利要求1所述的一种镧锰氧/铱酸锶异质结薄膜制备方法,其特征在于,所述步骤3、5中激光源为KrF准分子激光器。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京大学,未经南京大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210416790.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造