[发明专利]一种扇出型封装结构及其制作方法有效

专利信息
申请号: 202210414877.X 申请日: 2022-04-15
公开(公告)号: CN114975140B 公开(公告)日: 2023-10-10
发明(设计)人: 陈彦亨;林正忠 申请(专利权)人: 盛合晶微半导体(江阴)有限公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L23/31;H01L23/552;H01L23/66;H01Q1/12;H01Q1/38;H01Q1/52
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 余明伟
地址: 214437 江苏省无锡市江阴市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 扇出型 封装 结构 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种扇出型封装结构的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:

提供支撑载体,于所述支撑载体上形成释放层,于所述释放层上形成第一介质层;

形成第一天线层于所述第一介质层上,并形成与所述第一天线层电性连接的第一导电柱于所述第一天线层上;

形成第一封装层于所述第一介质层上以覆盖所述第一天线层及所述第一导电柱,并减薄所述第一封装层以显露所述第一导电柱;

形成第一重新布线层于所述第一封装层上,所述第一重新布线层包括第二天线层及包覆所述第二天线层的第二介质层,所述第二天线层与所述第一导电柱电性连接;

形成第二导电柱于所述第一重新布线层上,所述第二导电柱与所述第二天线层电性连接;

提供至少一功能芯片,所述功能芯片包括相对设置的顶面与底面,所述顶面设有芯片电极,所述底面设有背离层,将所述功能芯片具有所述背离层的一面与所述第一重新布线层接合;

采用第二封装层包覆所述第二导电柱与所述功能芯片,并减薄所述第二封装层以显露所述第二导电柱与所述芯片电极;

形成第二重新布线层于所述第二封装层上,所述第二导电柱电性连接于所述第二重新布线层,所述芯片电极电性连接于所述第二重新布线层;

形成焊料凸块于所述第二重新布线层上,所述焊料凸块与所述第二重新布线层电性连接。

2.根据权利要求1所述的扇出型封装结构的制作方法,其特征在于:所述支撑载体包括玻璃载体、金属载体、半导体载体、聚合物载体及陶瓷载体中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的扇出型封装结构的制作方法,其特征在于:所述释放层的材料包括胶带和聚合物中的至少一种,采用紫外线固化或热固化的方式成型。

4.根据权利要求1所述的扇出型封装结构的制作方法,其特征在于:所述背离层的材料包括金属材料和绝缘材料中的一种或两种以上组合。

5.根据权利要求1所述的扇出型封装结构的制作方法,其特征在于:所述背离层与所述第一重新布线层之间的接合包括胶膜粘接和焊料焊接中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的扇出型封装结构的制作方法,其特征在于:形成所述焊料凸块后,还包括以下步骤:去除所述支撑载体及所述释放层,并切割去除所述支撑载体及所述释放层后的结构以得到多个封装结构。

7.一种扇出型封装结构,其特征在于,包括:

第一介质层;

第一天线层,位于所述第一介质层上;

第一导电柱,位于所述第一天线层上并与所述第一天线层电性连接;

第一重新布线层,位于所述第一导电柱上方,所述第一重新布线层包括第二天线层及包覆所述第二天线层的第二介质层,所述第二天线层与所述第一导电柱电性连接;

第一塑封层,位于所述第一介质层及所述第一重新布线层之间,并包覆所述第一天线层与所述第一导电柱的线路表面;

第二导电柱,位于所述第一重新布线层上并与所述第二天线层电性连接;

至少一功能芯片,所述功能芯片包括相对设置的顶面与底面,所述顶面设有芯片电极,所述底面设有背离层,所述功能芯片具有所述背离层的一面接合于所述第一重新布线层上;

第二重新布线层,位于所述第二导电柱及所述功能芯片上,并与所述第二导电柱及所述功能芯片电性连接;

第二封装层,位于所述第一重新布线层与所述第二重新布线层之间,并包覆所述第二导电柱与所述功能芯片的显露表面;

焊料凸块,位于所述第二重新布线层上,并与所述第二重新布线层电性连接。

8.根据权利要求7所述的扇出型封装结构,其特征在于:所述第一重新布线层包括在垂直方向上堆叠的至少一介质层及至少一天线层。

9.根据权利要求7所述的扇出型封装结构,其特征在于:所述第二重新布线层包括在垂直方向上堆叠的至少一介质层及至少一金属布线层。

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