[发明专利]一种光探测器、光探测器的制备方法及其响应度调控方法

权利要求书

1.一种光探测器，其特征在于，包括：

衬底；

形成在所述衬底上的功能层，所述功能层与所述衬底之间具有PN结；

形成在所述功能层上的两个电极；

形成在所述功能层位于两个所述电极之间的部位上的透光保护层；

以及形成在所述透光保护层内的GST相变层，所述GST相变层与每个所述电极绝缘。

2.根据权利要求1所述的光探测器，其特征在于，所述GST相变层与每个所述电极通过所述透光保护层接触相应所述电极的部位绝缘。

3.根据权利要求1所述的光探测器，其特征在于，所述GST相变层的厚度为10nm~200nm；和/或，

所述GST相变层含有的GST相变材料的晶化程度小于或等于100%。

4.根据权利要求1所述的光探测器，其特征在于，所述透光保护层的厚度为10nm~20nm。

5.根据权利要求1所述的光探测器，其特征在于，所述透光保护层的材质为透光绝缘材料，所述透光绝缘材料为有机或无机绝缘材料。

6.根据权利要求1所述的光探测器，其特征在于，所述透光保护层的材质为二氧化硅、聚酯树脂、聚酰亚胺、聚对二甲苯中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的光探测器，其特征在于，所述透光保护层包裹所述GST相变层。

8.一种光探测器的制备方法，其特征在于，用于制备权利要求1~7任一项所述的光探测器，所述光探测器的制备方法包括：

提供一表面形成有功能层的衬底，所述功能层与所述衬底之间具有PN结；

在所述功能层上形成两个电极；

在所述功能层位于两个所述电极之间的部位上形成第一透光保护层；

在所述第一透光保护层上形成GST相变层；

在所述GST相变层上形成第二透光保护层，靠近每个所述电极的方向，所述第二透光保护层与所述第一透光保护层接触，使得所述GST相变层包裹在所述第一透光保护层和所述第二透光保护层之间。

9.一种光探测器的响应度调控方法，其特征在于，应用于权利要求1~7任一项所述的光探测器，所述GST相变层含有的GST相变材料的晶化程度小于或等于100%，所述光探测器的响应度调控方法包括：

基于所述光探测器的目标响应度，采用激光照射的方式调节所述GST相变层含有的GST相变材料的晶化程度。

10.根据权利要求9所述的光探测器的响应度调控方法，其特征在于，所述基于所述光探测器的目标响应度，采用激光照射的方式调节所述GST相变层含有的GST相变材料的晶化程度，包括：

确定所述目标响应度与所述光探测器的实际响应度不同的情况下，根据所述光探测器的响应程度与所述GST相变层含有的GST相变材料的晶化程度的对应关系，确定所述光探测器的目标响应度对应的所述GST相变层含有的GST相变材料的目标晶化程度；

根据所述GST相变材料的晶化程度与所述激光的参数的对应关系，确定目标激光参数；

根据所述目标激光参数，控制激光设备照射所述GST相变层。