[发明专利]一种中性电解去溢料液有效
申请号: | 202210412601.8 | 申请日: | 2022-04-19 |
公开(公告)号: | CN114836815B | 公开(公告)日: | 2023-10-20 |
发明(设计)人: | 关美英;关雯;关剑英 | 申请(专利权)人: | 池州市鼎弘半导体科技有限公司 |
主分类号: | C25F1/04 | 分类号: | C25F1/04;C25D5/00 |
代理公司: | 深圳市诺正鑫泽知识产权代理有限公司 44689 | 代理人: | 田琼 |
地址: | 247100 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 中性 电解 去溢料液 | ||
本发明公开了一种中性电解去溢料液,属于集成电路封装技术领域,其制备包括如下步骤:S1、原料称取;S2、超声波辅助搅拌;S3、超声波‑磁场耦合处理。本申请方法制备的去溢料液对溢料具有很好的去除效果,不仅不会损伤塑封体,还对塑封体有很好的防护作用,也不会因为强碱而导致分层问题,具有很好的市场推广应用价值。
技术领域
本发明属于集成电路封装技术领域,具体涉及一种中性电解去溢料液。
背景技术
去溢料工序,是电镀前处理工序中的一步,其主要目的是去除引线框架上在塑封步骤残留的溢胶以及透明的蜡状物质。如果在去溢料工艺没能把以上两种残留的溢料去除干净,在电镀过程中会造成漏铜,镀层发花,焊接性不好等严重的不良。因此去溢料工艺中化学品的选择是非常重要的。
现有技术中去溢料的方法一般分为三种:机械喷砂法、化学浸泡法、电解法。其中机械喷砂法容易使得塑封体表面受损,比较少使用;化学浸泡法对环境影响较大;与前两者相比,电解法更环保、更高效。但是现今的电解去溢料仍存在很多问题:(1)在避免对塑封体造成损伤方面还需要进一步改善,现今的电解去溢还是会对部分塑封体造成损伤;(2)无法做到在电解去溢的过程中对塑封体或者基体起到保护的作用。
如申请号为:CN201811547399.X公开了一种中性电解去溢料液、该去溢料液的工艺及使用方法。本发明所涉及一种中性电解去溢料液,包括表面活性剂混合液,溶剂混合液,导电离子混合物,中和剂溶液,络合剂混合物,缓冲剂混合物。因采用50%的溶剂混合液,20%的导电离子混合物,10%的表面活性剂混合液,18%的中和剂溶液,0.1%的络合剂混合物质,0.1%的缓和剂混合物,制成中性电解去溢料液,因该中性电解去溢料液的酸碱溶液为中性,有利于达到安全,环保节能,以及降低使用成本。中性酸碱溶液不会对被加工IC引脚造成分层的现象发生,达到避免被加工的IC引脚的分层现象发生。使用时,需要将IC引脚放置到中性电解去溢料液内部进行电解处理即可,达到具有使用简单方便的功效。本发明还具有制作加工简单,操作方便的功能。该发明虽然降低了塑封体的损伤率,但是无法在电解去溢的同时保护塑封体或者基体的作用。
发明内容
本发明的目的是针对现有的问题,提供了一种中性电解去溢料液。
本发明是通过以下技术方案实现的:
一种中性电解去溢料液,其制备包括如下步骤:
S1、原料称取:
称取相应重量百分比的无机盐10~15%、有机盐10~15%、有机酸1~2%、非离子表面活性剂4~6%,余量为水备用;
S2、超声波辅助搅拌:
S201、将水加入到搅拌罐内,然后将超声波探头浸入水液面下4~7cm处,启动超声波;
S202、将步骤S1中称取的无机盐、有机盐依次加入到搅拌罐内,搅拌使其完全溶解;
S203、在搅拌条件下,加入步骤S1中称取的有机酸、非离子表面活性剂,搅拌混匀;
S204、加入pH调节剂调节pH至8~8.2;
S3、超声波-磁场耦合处理:
将持续搅拌和超声波处理搅拌罐置于磁场环境中,进行超声波-磁场耦合处理。
进一步地,步骤S1中所述的无机盐为焦磷酸钠。
进一步地,步骤S1中所述的有机盐为葡萄糖酸钠。
进一步地,步骤S1中所述的有机酸为富里酸。
进一步地,步骤S1中所述的非离子表面活性剂为烷基酚聚氧乙烯醚。
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