[发明专利]一种基于单负超材料的小型化宽频带屏蔽结构

权利要求书

1.一种基于单负超材料的小型化宽频带屏蔽结构，其特征在于，包括屏蔽组件；

所述屏蔽组件包括若干周期排列的裂口谐振环(2)，所述裂口谐振环(2)上均嵌入有用于抑制多余谐振的电阻(3)。

2.如权利要求1所述的一种基于单负超材料的小型化宽频带屏蔽结构，其特征在于，所述屏蔽组件还包括加载在封装电路上的长方体屏蔽腔(4)，若干周期排列的裂口谐振环(2)包括若干交替设置在所述长方体屏蔽腔(4)内的第一裂口谐振环、第二裂口谐振环；

所述第一裂口谐振环嵌入有第一电阻(7)，所述第二裂口谐振环中还嵌入有第二电阻(8)，所述第一裂口谐振环与第二裂口谐振环之间还设置有寄生贴片(9)。

3.如权利要求2所述的一种基于单负超材料的小型化宽频带屏蔽结构，其特征在于，所述第一裂口谐振环由第一金属贴片(10)以及所述第一金属贴片(10)下方的两个第一金属通孔(11)构成，所述第二裂口谐振环由第二金属贴片(12)以及所述第二金属贴片(12)下方的两个第二金属通孔(13)构成；

所述第一金属贴片(10)贴设在第一介质基板(14)上，所述第二金属贴片(12)贴设在第二介质基板(15)上，所述第一介质基板(14)的下方贴设有半固化片(16)，所述第二金属贴片(14)的上表面贴设在所述半固化片(16)下方；

所述第一金属通孔(11)贯穿所述第一介质基板(14)、半固化片(16)、第二介质基板(15)，所述第二金属通孔(13)贯穿所述第二介质基板(15)，所述第一电阻(7)、第二电阻(8)、寄生贴片(9)均贴设在所述第二介质基板(15)的下表面。

4.如权利要求1所述的一种基于单负超材料的小型化宽频带屏蔽结构，其特征在于，还包括由上至下设置的第三金属贴片(17)、单极子(18)、第一金属地板(19)；

若干周期排列的裂口谐振环(2)设置在所述第三金属贴片(17)与第一金属地板(19)之间，若干裂口谐振环(2)呈矩形状排列，所述裂口谐振环(2)包括并排贴设在第三介质基板(20)上的两个第三裂口谐振环(21)，所述第三裂口谐振环(21)上嵌入有两个第三电阻(22)；

所述第三介质基板(20)上表面与第三金属贴片(17)上表面垂直设置。

5.如权利要求3所述的一种基于单负超材料的小型化宽频带屏蔽结构，其特征在于，所述长方体屏蔽腔(4)的金属腔的材质为铝，所述长方体屏蔽腔(4)的长w为19.4mm，宽度l为20mm,高度t_c为5mm；

所述第一介质基板(14)与第二介质基板(15)均为长方形，选用的材料为RogersRO4350，相对介电常数为3.66，损损耗角正切为0.004，所述第一介质基板(14)厚度t_sub1为0.762mm，所述第二介质基板(15)厚度t_sub2为0.508mm，所述半固化片(16)的厚度t_prg为0.2032mm，所述寄生贴片(9)的宽度w_s1为1.1mm；

所述第一裂口谐振环与第二裂口谐振环的宽度w_s2均为0.6mm；

所述第一裂口谐振环、第一裂口谐振环与寄生贴片(9)之间的距离g为0.15mm；

所述的所述第一电阻(7)的阻值为15ohm，所述第二电阻(8)的阻值为10ohm；

所述第一金属贴片(10)、第一金属贴片(12)均是厚度相同的0.017mm的覆铜薄膜。

6.如权利要求4所述的一种基于单负超材料的小型化宽频带屏蔽结构，其特征在于，所述第三金属贴片(17)与所述第一金属地板(19)的边长a’为20mm，所述第三金属贴片(17)与所述第一金属地板(19)之间的高度b’为3mm；

所述第三裂口谐振环(21)的长度w’为0.6mm，所述第三裂口谐振环(21)的高度l’为0.2mm，所述第三裂口谐振环(21)的宽度为0.2mm；

所述第三电阻(22)的长度w_r’为0.2，所述第三电阻(22)的阻值为0.5ohm。