[发明专利]一种声表面波谐振器

权利要求书

1.一种声表面波谐振器，其特征在于，包括：

压电基板；

插指换能结构，位于所述压电基板的一侧；所述插指换能结构包括相对设置的两个汇流条，以及并排设置在两个汇流条之间的多个电极指；每个电极指交替电连接到所述汇流条中的一个汇流条；

多个假指，每一假指对应位于一所述电极指末端与对侧的汇流条之间；沿平行于汇流条的方向，所述假指的宽度等于所述电极条的宽度；

第一声速突变结构，所述第一声速突变结构位于所述假指远离所述压电基板的一侧、所述假指靠近所述压电基板的一侧和所述假指所在层中的至少一处；沿平行于汇流条的方向，所述第一声速突变结构的宽度大于所述假指的宽度。

2.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述第一声速突变结构包括多个负载块，每一负载块对应位于一假指的末端；位于同一排假指末端的负载块到对侧电极指末端的距离相等。

3.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述第一声速突变结构包括多个负载块；每一负载块在压电基板的垂直投影对应与一假指在压电基板的垂直投影部分重叠；位于同一排假指末端的负载块到对侧电极指末端的距离递增或递减。

4.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述第一声速突变结构包括多个负载块；每一负载块在压电基板的垂直投影对应与一假指在压电基板的垂直投影部分重叠；位于同一排假指末端的负载块到对侧电极指末端的距离交替相等。

5.根据权利要求2～4任一所述的声表面波谐振器，其特征在于，沿平行于汇流条的方向，每一负载块的宽度小于或等于位于其两侧相邻的两个电极指之间的宽度。

6.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述第一声速突变结构包括两个负载条，两个负载条相对设置，并均与所述汇流条平行；沿平行于所述汇流条的方向，所述负载条的宽度大于或等于所述汇流条的宽度。

7.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，还包括钝化层，所述钝化层覆盖在所述电极指和假指远离所述压电基板的一侧，以及电极指和假指未覆盖的压电基板上；所述第一声速突变结构位于所述钝化层远离所述压电基板的一侧；所述第一声速突变结构的材料包括高分子涂敷材料。

8.根据权利要求7所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述第一声速突变结构包括两个负载层，每一所述负载层在所述压电基板的上的垂直投影覆盖对应的一假指区域；沿平行于所述汇流条的方向，所述假指区域的宽度大于或等于所述汇流条的宽度，沿垂直于所述汇流条的方向，所述假指区域的长度等于所述假指的长度。

9.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，还包括：

第二声速突变结构，所述第二声速突变结构位于所述电极指远离所述压电基板的一侧、所述电极指靠近所述压电基板的一侧和所述电极指所在层中的至少一处；沿平行于汇流条的方向，所述第二声速突变结构的宽度大于所述电极指的宽度；

一对反射栅，所述反射栅位于所述压电基板与所述插指换能结构的同一侧，并分别位于所述插指换能结构的相对两侧；

第三声速突变结构，所述第三声速突变结构位于所述反射栅远离所述压电基板的一侧、所述反射栅靠近所述压电基板的一侧和所述反射栅所在层中的至少一处；沿平行于汇流条的方向，所述第三声速突变结构的宽度大于所述反射栅半个周期的宽度。

10.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述压电基板包括硅层以及依次形成在硅层上的多晶硅层、氧化硅层和铌酸锂晶体层。