[发明专利]阵列基板的制备方法、阵列基板及显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供基底；

在所述基底上形成低温多晶硅层，所述低温多晶硅层具有源极接触部和漏极接触部；

在含磷气体的气氛中，在所述低温多晶硅层上形成磷离子重掺杂的非晶硅层；

对所述磷离子重掺杂的非晶硅层进行图案化处理，以形成第一欧姆接触部和第二欧姆接触部，所述第一欧姆接触部与所述源极接触部连接，所述第二欧姆接触部与所述漏极接触部连接；以及

在所述第一欧姆接触部上形成源极，并在所述第二欧姆接触部上形成漏极。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述含磷气体为三氢化磷，所述在所述低温多晶硅层上形成磷离子重掺杂的非晶硅层的步骤，包括：向反应腔室中通入四氢化硅、氢气以及所述三氢化磷，所述四氢化硅、所述氢气以及所述三氢化磷形成磷离子重掺杂的非晶硅层。

3.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在所述低温多晶硅层上形成磷离子重掺杂的非晶硅层的步骤之前，还包括：在所述低温多晶硅层上形成介电绝缘层，所述介电绝缘层中开设有第一过孔和第二过孔，所述第一过孔裸露出所述源极接触部，所述第二过孔裸露出所述漏极接触部；

所述对所述磷离子重掺杂的非晶硅层进行图案化处理的步骤，包括：对所述磷离子重掺杂的非晶硅层进行蚀刻，以在所述介电绝缘层远离所述基底的表面形成第一欧姆接触部和第二欧姆接触部，所述第一欧姆接触部延伸至所述第一过孔内，并与所述源极接触部的裸露部分连接，所述第二欧姆接触部延伸至所述第二过孔内，并与所述漏极接触部的裸露部分连接。

4.根据权利要求3所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述源极自所述第一欧姆接触部远离所述介电绝缘层的表面延伸至所述第一过孔内，所述漏极自所述第二欧姆接触部远离所述介电绝缘层的表面延伸至所述第二过孔内。

5.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板由权利要求1至4任一项所述的阵列基板的制备方法制备得到。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括栅极，所述栅极位于所述低温多晶硅层靠近或远离所述基底的一侧，所述栅极的材料包括铜和/或铝。

7.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述源极接触部的材料和所述漏极接触部的材料均为磷离子轻掺杂的非晶硅。

8.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板由权利要求3所述的阵列基板的制备方法制备得到；

所述阵列基板还包括栅极绝缘层和栅极，所述栅极绝缘层位于所述低温多晶硅层远离所述基底的一侧，所述栅极位于所述栅极绝缘层和所述介电绝缘层之间，所述栅极绝缘层中开设有第三过孔和第四过孔，所述第三过孔连通于所述第一过孔并裸露出所述源极接触部，所述第一欧姆接触部依次延伸至所述第一过孔和所述第三过孔内，所述第四过孔连通于所述第二过孔并裸露出所述漏极接触部，所述第二欧姆接触部依次延伸至所述第二过孔和所述第四过孔内；

其中，所述源极接触部的材料和所述漏极接触部的材料均为磷离子轻掺杂的非晶硅。

9.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板由权利要求3所述的阵列基板的制备方法制备得到；所述阵列基板还包括栅极绝缘层和栅极，所述栅极绝缘层位于所述低温多晶硅层靠近所述基底的一侧，所述栅极位于所述基底和所述栅极绝缘层之间；

其中，所述栅极于所述基底所在平面的正投影覆盖所述低温多晶硅层于所述基底所在平面的正投影，所述源极接触部的材料和所述漏极接触部的材料均为非晶硅；或，所述栅极于所述基底所在平面的正投影位于所述低温多晶硅层于所述基底所在平面的正投影内，所述源极接触部的材料和所述漏极接触部的材料均为磷离子轻掺杂的非晶硅。

10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求5至9任一项所述的阵列基板。