[发明专利]包括支撑焊球的半导体封装

权利要求书

1.一种半导体封装，包括：

第一衬底；

所述第一衬底上的第一半导体器件；

第一模塑层，覆盖所述第一半导体器件；

所述第一模塑层上的第二衬底；

支撑焊球，介于所述第一衬底与所述第二衬底之间，并且与所述第一衬底或所述第二衬底电学断开，其中，所述支撑焊球包括核并靠近所述第一半导体器件的第一侧壁设置；以及

衬底连接焊球，设置在所述第一半导体器件的所述第一侧壁与所述支撑焊球之间，以将所述第一衬底电连接到所述第二衬底，

其中，所述第一半导体器件的顶表面具有距离所述第一衬底的顶表面的第一高度，以及

所述核具有等于或大于所述第一高度的第二高度。

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一衬底包括第一主体层和与所述第一主体层的顶表面交叠的第一保护层，

所述第二衬底包括第二主体层和与所述第二主体层的底表面交叠的第二保护层，

所述第一衬底或所述第二衬底还包括与所述第一保护层或所述第二保护层交叠的虚设导电焊盘，以及

所述支撑焊球穿透所述第一保护层或所述第二保护层以与所述虚设导电焊盘接触。

3.根据权利要求2所述的半导体封装，其中，所述支撑焊球与所述第一保护层的顶表面或所述第二保护层的底表面接触。

4.根据权利要求2所述的半导体封装，其中，所述第一模塑层的一部分介于所述第一保护层与所述支撑焊球之间或介于所述第二保护层与所述支撑焊球之间。

5.根据权利要求2所述的半导体封装，其中，所述核的第一端部与所述虚设导电焊盘接触，以及

所述核的第二端部与所述第一保护层的顶表面或所述第二保护层的底表面接触。

6.根据权利要求2所述的半导体封装，其中，所述第一保护层或所述第二保护层包括虚设孔，所述虚设孔显露所述第一主体层或所述第二保护层并与所述支撑焊球交叠，以及

所述支撑焊球与通过所述虚设孔显露的所述第一主体层或所述第二主体层接触。

7.根据权利要求2所述的半导体封装，其中，所述第一保护层或所述第二保护层包括虚设孔，所述虚设孔显露所述第一主体层或所述第二保护层并与所述支撑焊球交叠，以及

所述第一模塑层介于所述支撑焊球与所述第一主体层之间或介于所述支撑焊球与所述第二主体层之间，并与所述虚设孔的侧壁接触。

8.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述核具有球形、圆柱形、立方体形、椭球形、长方体形、正四面体形或底表面比顶表面宽的柱形。

9.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述核包括铜、铝、镍、不锈钢SUS、陶瓷或聚合物。

10.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述衬底连接焊球具有第一宽度，以及

所述支撑焊球具有等于或大于所述第一宽度的第二宽度。

11.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述衬底连接焊球具有无核结构。

12.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述衬底连接焊球和所述支撑焊球以复数设置以构成所述第一衬底与所述第二衬底之间的内焊球，所述内焊球包围所述第一半导体器件，

所述第一半导体器件具有所述第一侧壁和第二侧壁，

所述第一侧壁平行于第一方向，

所述第二侧壁平行于与所述第一方向正交的第二方向，

所述内焊球中的第一内焊球靠近所述第一半导体器件的所述第一侧壁布置以形成平行于所述第一方向的m行，

所述内焊球中的第二内焊球靠近所述第一半导体器件的所述第二侧壁布置以形成平行于所述第二方向的n列，

m小于n，并且

所述支撑焊球是所述第一内焊球中设置在离所述第一侧壁最远的位置处的第一内焊球。