[发明专利]一种TO紫外器件封装结构

权利要求书

1.一种TO紫外器件封装结构，其特征在于：包括底座、陶瓷模块、底端焊盘、正面焊盘、侧面焊盘、深紫外发射芯片、探测芯片、顶端透镜和电极柱，所述陶瓷模块安装在所述底座上，且所述正面焊盘和所述底端焊盘分别安装于所述陶瓷模块的上端面和下端面，所述侧面焊盘为多个且围绕所述陶瓷模块的外侧壁安装，不同的所述侧面焊盘能够与所述正面焊盘对应的不同部位导通，所述深紫外发射芯片安装于所述正面焊盘上，所述探测芯片为多个，且分别安装于各所述侧面焊盘上，所述电极柱为多个，且均依次穿过所述底座、所述底端焊盘和所述陶瓷模块，并与所述正面焊盘的不同部位导通，所述正面焊盘的不同部位还能够分别导通所述深紫外发射芯片和通过所述侧面焊盘导通所述探测芯片，并使所述探测芯片能够接收到所述深紫外发射芯片发出的信号，所述顶端透镜位于所述深紫外发射芯片的上方。

2.根据权利要求1所述的TO紫外器件封装结构，其特征在于：所述正面焊盘包括第一正面焊盘、第二正面焊盘、第三正面焊盘和第四正面焊盘，且所述深紫外发射芯片安装于所述第一正面焊盘和所述第二正面焊盘的上端面，所述第三正面焊盘和所述第四正面焊盘能够通过所述侧面焊盘与所述探测芯片导通。

3.根据权利要求1所述的TO紫外器件封装结构，其特征在于：所述底座的底端外缘设有环形台阶，且所述底座上开设有多个第一通孔，所述底端焊盘上对应各所述第一通孔的位置开设有第二通孔，所述第一通孔和所述第二通孔均用于所述电极柱的通过。

4.根据权利要求3所述的TO紫外器件封装结构，其特征在于：所述第二通孔的内径大于所述第一通孔的内径。

5.根据权利要求3所述的TO紫外器件封装结构，其特征在于：各所述第一通孔内均安装有一绝缘套，所述绝缘套的两端开口，且一个所述绝缘套内部同轴安装一个所述电极柱。

6.根据权利要求3所述的TO紫外器件封装结构，其特征在于：还包括一环形透镜，所述环形透镜套设于所述底座和所述陶瓷模块外周，且所述环形透镜的下端与所述环形台阶的上端面接触，所述环形透镜的上端与所述顶端透镜的下端固定，所述环形透镜位于各所述探测芯片的外部。

7.根据权利要求6所述的TO紫外器件封装结构，其特征在于：还包括一管帽，所述管帽套设于所述环形透镜外周，且所述管帽的下端与所述环形台阶的上端面接触，且所述管帽下端的外缘与所述环形台阶的外缘平齐，所述管帽的上端高于所述顶端透镜下端的环形边缘，且低于所述顶端透镜的上端，所述管帽上对应各所述侧面焊盘的位置均开设有光出口。

8.根据权利要求2所述的TO紫外器件封装结构，其特征在于：所述陶瓷模块的侧壁设有四个平面结构，且所述平面结构围绕所述陶瓷模块的侧壁均匀设置，相邻的所述平面结构之间不接触，一个所述平面结构上对应安装一个所述侧面焊盘，且所述侧面焊盘分为第一侧面焊盘和第二侧面焊盘；所述陶瓷模块上设有多个第三通孔，所述第三通孔用于所述电极柱的通过；还包括第一金属柱和第二金属柱，且所述第一金属柱和所述第二金属柱分别固定在不同的所述平面结构上，所述第一金属柱能够通过所述第一侧面焊盘导通所述侧面焊盘的下层线路和所述第四正面焊盘，所述第二金属柱能够通过所述第二侧面焊盘导通所述侧面焊盘的上层线路和所述第三正面焊盘。

9.根据权利要求8所述的TO紫外器件封装结构，其特征在于：所述陶瓷模块的上端面对应所述第一金属柱和所述第二金属柱的位置还开设有正面通孔槽，且两个所述正面通孔槽能够分别与所述第一金属柱和所述第二金属柱导通，各所述平面结构上均开设有侧面通孔，且所述侧面通孔内部能够电镀铜金属，并通过电镀铜金属导通所述金属柱和所述侧面焊盘。

10.根据权利要求1所述的TO紫外器件封装结构，其特征在于：各所述探测芯片的正极和正极对应、负极和负极对应。