[发明专利]一种铌酸锂薄膜刻蚀方法

权利要求书

1.一种铌酸锂薄膜刻蚀方法，包括硅衬底层1、二氧化硅下包层2、铌酸锂芯层3、第一铬金属阻挡层4、第一光刻胶层5、第二光刻胶层6、第二铬金属阻挡层7、光功能微纳结构9、氟化锂固体沉积物12、氟基气体13、气体产物14、氩离子15和氟化锂阻挡层碎片16，其特征在于，所述方法步骤如下：

步骤一：选定需要刻蚀的铌酸锂薄膜基片并进行清洗；

步骤二：对准备好的铌酸锂薄膜基片镀上第一铬金属阻挡层4；

步骤三：在第一铬金属阻挡层4上涂覆第一光刻胶层5；

步骤四：通过曝光、显影及光刻等操作将掩模版上的图形转移至第一光刻胶层5上，得到转移了版图的第二光刻胶层6。

步骤五：进行坚膜后对铬金属进行腐蚀，得到转移了版图的第二铬金属阻挡层7；

步骤六：通过氟基气体13对铌酸锂薄膜进行刻蚀，生成一部分气体产物14和氟化锂固体沉积物12，气体产物14会被刻蚀系统带走，氟化锂固体沉积物12在待刻蚀的铌酸锂薄膜上沉积形成一层阻挡层，通过氩离子15轰击阻挡层，去除氟化锂阻挡层碎片16，再次通过氟基气体13对铌酸锂薄膜进行刻蚀后继续用氩离子15轰击氟化锂固体沉积物12形成的阻挡层，往复交替；

步骤七：去除剩余的第二铬金属阻挡层7，获得预期的光功能微纳结构9。