[发明专利]一种低压差线性稳压电路在审

专利信息
申请号: 202210396146.7 申请日: 2022-04-15
公开(公告)号: CN114879809A 公开(公告)日: 2022-08-09
发明(设计)人: 廖宝斌 申请(专利权)人: 荣湃半导体(上海)有限公司
主分类号: G05F3/26 分类号: G05F3/26
代理公司: 上海申新律师事务所 31272 代理人: 吴轶淳
地址: 200120 上海市浦东新区中*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 低压 线性 稳压 电路
【权利要求书】:

1.一种低压差线性稳压电路,其特征在于,包括:

第一基准电流源,所述第一基准电流源的输入端连接一电源,所述第一基准电流源的输出端通过一第一开关管连接一基准电路,以提供一基准电压;

所述第一开关管的漏极分别连接所述第一基准电流源的输出端和所述第一开关管的栅极,所述第一开关管的源极连接所述基准电路;

第二开关管,所述第二开关管的漏极连接所述电源,所述第二开关管的栅极连接所述第一开关管的栅极,所述第二开关管的源极连接一稳压输出端口;

当外部向所述稳压输出端口施加向外流出的干扰电流时,通过控制所述第一开关管和所述第二开关管的方式,控制所述稳压输出端口的输出电压相对所述基准电压保持稳定;

反馈电路,所述反馈电路分别连接所述基准电路、所述稳压输出端口和地;

当外部向所述稳压输出端口施加向内流入的干扰电流时,所述反馈电路用于控制所述稳压输出端口的输出电压相对所述基准电压保持稳定。

2.根据权利要求1所述的低压差线性稳压电路,其特征在于,所述反馈电路包括:

第三开关管,所述第三开关管的源极连接所述稳压输出端口,所述第三开关管的栅极连接所述基准电路;

第四开关管,所述第四开关管的栅极连接所述第三开关管的漏极,所述第四开关管的漏极分别连接所述第三开关管的源极和所述稳压输出端口,所述第四开关管的源极接地;

第一电阻,所述第一电阻的一端分别连接所述第三开关管的漏极和所述第四开关管的栅极,所述第一电阻的另一端接地。

3.根据权利要求2所述的低压差线性稳压电路,其特征在于,所述基准电路包括:

第五开关管,所述第五开关管的栅极分别连接所述第三开关管的栅极和所述第五开关管的漏极;

第二基准电流源,所述第二基准电流源的一端分别连接所述第三开关管的栅极和所述第五开关管的漏极,所述第二基准电流源的另一端接地;

第二电阻,所述第二电阻的一端分别连接所述第一开关管的源极和所述第五开关管的源极,所述第二电阻的另一端接地。

4.根据权利要求3所述的低压差线性稳压电路,其特征在于,所述第三开关管和所述第五开关管为镜像设置的PMOS管,所述第三开关管和所述第五开关管的栅极导通电压相同。

5.根据权利要求4所述的低压差线性稳压电路,其特征在于,所述第四开关管为NMOS管。

6.根据权利要求3所述的低压差线性稳压电路,其特征在于,还包括一第一电容,所述第一电容的一端分别连接所述第三开关管的栅极、所述第五开关管的栅极、所述第五开关管的漏极和所述第二基准电流源的一端,所述第一电容的另一端接地。

7.根据权利要求3所述的低压差线性稳压电路,其特征在于,所述基准电压的计算公式如下:

Vref=(Iref1-Iref2)*R2

其中,Vref用于表示所述基准电压,Iref1用于表示所述第一基准电流源提供的一第一基准电流值,Iref2用于表示所述第二基准电流源提供的一第二基准电流值,R2用于表示所述第二电阻的电阻值。

8.根据权利要求1所述的低压差线性稳压电路,其特征在于,还包括一第二电容,所述第二电容的一端分别连接所述第一开关管的栅极、所述第二开关管的栅极和所述第一基准电流源的输出端,所述第二电容的另一端接地。

9.根据权利要求1所述的低压差线性稳压电路,其特征在于,所述第一开关管和所述第二开关管为镜像设置的NMOS管,所述第一开关管和所述第二开关管的栅极导通电压相同。

10.根据权利要求1所述的低压差线性稳压电路,其特征在于,还包括一负载电流源,所述负载电流源的一端连接所述稳压输出端口,所述负载电流源的另一端接地。

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