[发明专利]存储器装置及该存储器装置的操作方法

说明书

本申请涉及存储器装置及该存储器装置的操作方法。该存储器装置包括存储块，在该存储块中多个单元页联接至每条字线。存储器装置还包括外围电路，该外围电路被配置为在被选单元页的验证操作期间，根据执行编程操作的次序来调整向字线当中的被选字线施加验证电压的时间点。存储器装置进一步包括控制逻辑电路，该控制逻辑电路被配置为向外围电路发送用于调整输出验证电压的时间点的操作码。

技术领域

本公开的各种实施方式总体上涉及存储器装置及操作该存储器装置的方法，更具体地，涉及包括三维结构的存储块的存储器装置及该存储器装置的编程操作。

背景技术

存储器系统可以包括存储数据的存储器装置及控制存储器装置的控制器。存储器装置通常可以分类为易失性存储器装置或非易失性存储器装置。

存储器装置可以包括存储数据的存储器单元阵列、被配置为对存储器单元阵列中所包括的存储器单元执行编程操作、读取操作或擦除操作的外围电路、以及控制外围电路的控制逻辑电路。

存储器单元阵列可以包括具有三维结构的多个存储块，并且多个存储块中的每一个可以包括多个存储器单元。具有三维结构的多个存储块可以包括彼此层叠的多个存储器单元。随着存储器装置的集成密度增加，存储器单元之间的距离可以减小。因此，存储器单元之间或金属线之间的干扰会增加。

发明内容

根据实施方式，一种存储器装置可以包括存储块，在该存储块中多个单元页联接至每条字线。存储器装置可以还包括外围电路，该外围电路被配置为在被选单元页的验证操作期间，根据执行编程操作的次序来调整向字线当中的被选字线施加验证电压的时间点。存储器装置可以进一步包括控制逻辑电路，控制逻辑电路被配置为向外围电路发送用于调整输出验证电压的时间点的操作码。

根据实施方式，一种操作存储器装置的方法可以包括向被选字线施加编程电压以增加联接至被选字线的多个存储器单元当中的被选存储器单元的阈值电压。该方法还可以包括在用于感测被选存储器单元的状态的验证操作期间向未选字线施加通过电压。该方法可以进一步包括在施加通过电压之后，根据执行被选存储器单元的编程操作的次序，来调整向被选字线施加验证电压的时间点。该方法可以附加地包括根据调整后的时间点向被选字线施加验证电压。

附图说明

图1是例示了根据实施方式的存储器装置的图；

图2是例示了根据实施方式的存储块的图；

图3是例示了根据实施方式的存储块的电路图；

图4是例示了由相同的漏极选择线所选择的单元页的图；

图5是例示了由不同的漏极选择线所选择的存储器单元的图；

图6是例示了根据实施方式的执行编程操作的次序的图；

图7是例示了根据实施方式的在编程操作期间向联接至被选存储块的线施加的电压的图；

图8是例示了根据实施方式的编程操作的图；

图9是例示了根据实施方式的在验证操作期间向联接至被选存储块的线施加的电压的图；

图10是例示了在联接至相同字线的单元页的验证操作期间向被选字线施加验证电压的时间点的图；

图11是例示了在联接至不同字线的单元页的验证操作期间向被选字线施加验证电压的时间点的图；

图12是例示了根据第一实施方式的操作存储器装置的方法的图；

图13是例示了根据第二实施方式的操作存储器装置的方法的图；

图14是例示了根据第三实施方式的操作存储器装置的方法的图；

图15是例示了存储块的结构的图；