[发明专利]一种可拆卸基板及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202210389402.X | 申请日： | 2022-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN114664928A | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 母凤文;郭超 | 申请（专利权）人： | 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L29/78;H01L29/872;H01L21/04;H01L21/683;H01L21/329;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 赵颖 |
| 地址： | 100083 北京市海淀区花*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 可拆卸 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种可拆卸基板，其特征在于，所述可拆卸基板包括依次连接的第一基板、金属层以及第二基板，所述第一基板和所述第二基板包括至少一层碳化硅层，所述碳化硅层设置于所述金属层一侧，和/或所述第一基板和/或所述第二基板的材质为碳化硅。
2.根据权利要求1所述的可拆卸基板，其特征在于，所述金属层的厚度为1～100nm。
3.根据权利要求1或2所述的可拆卸基板，其特征在于，所述金属层的材质包括W、Hf、Nb、Ni、V、Mg、Ti、Zr、Mo、Ta、Co、Fe、Cr或Cu中的任意一种或至少两种的组合。
4.根据权利要求1-3任一项所述的可拆卸基板，其特征在于，所述第一基板和所述第二基板的材质还包括半导体、金属或塑料。
5.根据权利要求1-3任一项所述的可拆卸基板，其特征在于，所述可拆卸基板的拆卸方法为对所述可拆卸基板进行热处理，之后对所述金属层施加能量。
6.根据权利要求5所述的可拆卸基板，其特征在于，所述热处理的温度不低于600℃；
优选地，所述热处理过程中所述金属层中的金属和与其相邻的碳化硅层或基板中的碳化硅进行反应生成金属硅化物和碳。
7.一种权利要求1～6任一项所述的可拆卸基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
在所述第一基板和/或所述第二基板表面沉积金属层；
将所述第一基板和所述第二基板的进行接合，所述金属层位于所述接合一侧。
8.一种权利要求1～6任一项所述的可拆卸基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
在所述第一基板和/或所述第二基板表面外延生长碳化硅层；
在所述第一基板和/或所述第二基板表面沉积金属层，所述金属层沉积于所述碳化硅层表面；
将所述第一基板和所述第二基板的进行接合，所述金属层位于所述接合一侧。
9.根据权利要求7或8所述的制备方法，其特征在于，所述沉积的方法包括电子束蒸发、DC磁控溅射或射频溅射中的任意一种；
优选地，所述金属层沉积前对所述第一基板和/或所述第二基板的表面进行粒子照射。
10.一种权利要求1～6任一项所述的可拆卸基板的应用，其特征在于，所述可拆卸基板用于制造薄型碳化硅肖特基二极管、薄型碳化硅MOSFET或薄型氮化镓器件。
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