[发明专利]一种低介电常数聚酰亚胺的二胺单体、合成方法和应用

权利要求书

1.一种低介电常数聚酰亚胺的二胺单体，其特征在于，具有如下化学结构式；

其中，R₁、R₂从芳香环中选择；R₃从胺基或芳香胺基中选择；m为碳数为1～18的烷基链；n为1或2；

当n＝1时，所述R₁为如下结构单元的任一种：

其中，R₄～R₁₁为H或者F；

当n＝2时，所述R₁为如下结构单元的任一种：

其中，R₁₂～R₁₄为H或者F；

所述R₂为如下结构单元的任一种：

所述R₃为如下结构单元的任一种：

2.一种如权利要求1所述的低介电常数聚酰亚胺的二胺单体的合成方法，其特征在于，采用如下合成路线合成：

其中，X为Br或I；Y为Br或I；m为碳数为1～18的烷基链；n为1或2。

3.根据权利要求2所述的低介电常数聚酰亚胺的二胺单体的合成方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

(1)在碱性条件下，先将芳香环基团R₂与碳数为1～18的烷基链反应，得到一端含有芳香环基团的烷基链的中间产物

(2)以步骤(1)所得的中间产物，在碱性条件下，与两端含有溴或碘的芳香基团反应，得到中间产物

(3)以步骤(2)所得的中间产物，通过钯催化剂的作用，与含有硼酸或者硼酸酯的芳香胺单元偶联得到目标产物二胺单体。

4.如权利要求1所述的二胺单体在合成低介电常数低介电损耗的聚酰亚胺中的应用。

5.一种低介电常数低介电损耗的聚酰亚胺，其特征在于，采用酸酐和如权利要求1所述的单体合成得到。