[发明专利]一种AlInGaN基光电二极管的外延结构在审
| 申请号： | 202210386072.9 | 申请日： | 2022-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN114824009A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 曹盛;罗杰;全知觉;王立;丁杰 | 申请（专利权）人： | 南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/20;H01L33/24;H01L33/32 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 36100 | 代理人： | 张文 |
| 地址： | 330031 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 alingan 光电二极管 外延 结构 | ||
1.一种AlInGaN基光电二极管的外延结构，包括衬底、依次形成于衬底上的缓冲层、n型AlInGaN层、具有V坑的AlInGaN超晶格层、具有V坑的n区AlInGaN电子阻挡层、具有V坑的AlInGaN基多量子阱层、具有V坑的p区AlInGaN电子阻挡层、p型AlInGaN层，其特征在于：所述具有V坑的n区AlInGaN电子阻挡层的V坑侧壁厚度大于平台厚度；所述具有V坑的n区AlInGaN电子阻挡层和具有V坑的AlInGaN基多量子阱层之间含有具有V坑的n型AlInGaN高掺杂层；所述具有V坑的p区AlInGaN电子阻挡层的V坑侧壁厚度小于平台厚度；所述具有V坑的p区AlInGaN电子阻挡层和p型AlInGaN层之间含有合并V坑的p型AlInGaN高掺杂层。
2.根据权利要求1所述的AlInGaN基光电二极管的外延结构，其特征在于：所述具有V坑的n型AlInGaN高掺杂层的掺Si浓度为1×1019～5×1020cm-3。
3.根据权利要求1所述的AlInGaN基光电二极管的外延结构，其特征在于：所述合并V坑的p型AlInGaN高掺杂层的掺Mg浓度3×1019～1×1021cm-3。
4.根据权利要求1所述的AlInGaN基光电二极管的外延结构，其特征在于：所述具有V坑的n区AlInGaN电子阻挡层的禁带宽度大于所述具有V坑的AlInGaN基多量子阱层中所有量子垒的禁带宽度。
5.根据权利要求1所述的AlInGaN基光电二极管的外延结构，其特征在于：所述具有V坑的p区AlInGaN电子阻挡层的禁带宽度大于所述具有V坑的AlInGaN基多量子阱层中所有量子垒的禁带宽度。
6.根据权利要求1所述的AlInGaN基光电二极管的外延结构，其特征在于：所述平台为生长平面且为极性面，即(0001)晶面族，V坑在平台的投影为正六边形，V坑的侧壁为半极性面，以晶面族为最优。
7.根据权利要求1所述的AlInGaN基光电二极管的外延结构，其特征在于：所述具有V坑的AlInGaN基多量子阱层的第一个量子阱下表面到末量子阱上表面的平台厚度为d1，V坑在末量子阱上表面的正六边形投影的对边之间的距离为d2，两者之间的关系满足d2＞d1×2tan28°，d1、d2的单位为nm。
8.根据权利要求1或7所述的AlInGaN基光电二极管的外延结构，其特征在于：所述V坑在末量子阱上表面的所有正六边形投影的面积之和与末量子阱上表面的面积之比为δ，δ值范围为15％～50％。
9.根据权利要求1或7所述的AlInGaN基光电二极管的外延结构，其特征在于：所述V坑在末量子阱上表面的密度为ρ，即单位面积的V坑个数，ρ值范围为1×108cm-2～1×1010cm-2。
10.根据权利要求1所述的AlInGaN基光电二极管的外延结构，其特征在于：所述衬底为Al2O3、SiC、GaN或Si中的一种。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司，未经南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210386072.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
