[发明专利]一种星钻裂纹釉、釉浆及其陶瓷有效
申请号: | 202210383241.3 | 申请日: | 2022-04-13 |
公开(公告)号: | CN114702242B | 公开(公告)日: | 2023-06-27 |
发明(设计)人: | 余水林;马碧仪;赵秀娟;曾青蓉 | 申请(专利权)人: | 广东道氏陶瓷材料有限公司;广东道氏技术股份有限公司 |
主分类号: | C03C8/14 | 分类号: | C03C8/14;C03C8/20;C04B41/89 |
代理公司: | 广州市诺丰知识产权代理事务所(普通合伙) 44714 | 代理人: | 许飞 |
地址: | 529441 广东省江门市恩平*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 裂纹 及其 陶瓷 | ||
1.一种星钻裂纹陶瓷,其特征在于:包括坯体、星钻裂纹釉层和抛釉层,在烧制的坯釉冷却过程中,星钻裂纹釉与抛釉间产生微裂纹,光线在微裂纹表面发生完全反射,形成星钻效果;其中:
所述星钻裂纹釉的化学质量组成为:SiO2:65~80%、Al2O3:10~15%、K2O:2~7%、Na2O:3~10%、Fe2O3:0~0.5%、CaO:0~0.5%、MgO:0~1%、TiO2:0~0.5%及不可避免的杂质,膨胀系数为354~367,完全熔融温度不低于1220 ℃;所述星钻裂纹釉层的厚度为0.5~0.8mm;
所述坯体的膨胀系数为220~245;
所述抛釉层的膨胀系数为290~330,所述抛釉层的厚度为0.2~0.5mm,所述抛釉层的熔融温度为1165~1180℃;
所述抛釉层的熔融温度较所述星钻裂纹釉的熔融温度低至少50℃。
2.根据权利要求1所述的星钻裂纹陶瓷,其特征在于:所述星钻裂纹釉的原料按质量组成为:钠长石8~18份,钾长石45~60份,烧滑石1~5份,高岭土3~7份,石英20~35份,低温熔块3~7份;
所述低温熔块的始熔温度不超过950℃,膨胀系数为380~395。
3.根据权利要求1或2所述的星钻裂纹陶瓷,其特征在于:所述星钻裂纹釉配制为星钻裂纹釉浆使用,所述星钻裂纹釉浆由所述的星钻裂纹釉、悬浮剂、解胶剂和水组成。
4.根据权利要求3所述的星钻裂纹陶瓷,其特征在于:所述星钻裂纹釉浆的颗粒的平均粒径为35~70 μm;和/或
所述星钻裂纹釉浆中,水的质量百分含量为30~50%,悬浮剂的质量百分含量为0.1~0.3%,解胶剂的质量百分含量为0.2~0.5%,余量为星钻裂纹釉。
5.根据权利要求3所述的星钻裂纹陶瓷,其特征在于:其比重为1.69~1.91,25℃时的粘度为50.72~71.18 cP。
6.根据权利要求4所述的星钻裂纹陶瓷,其特征在于:其比重为1.69~1.91,25℃时的粘度为50.72~71.18 cP。
7.根据权利要求1所述的星钻裂纹陶瓷,其特征在于:其制备方法包括:
坯体工艺:将所述的星钻裂纹釉或星钻裂纹釉浆混入或数码定位布入通体或薄层布料中,压制成型,施透明抛釉,烧成,全抛光、半抛光或不抛光。
8.根据权利要求1所述的星钻裂纹陶瓷,其特征在于:其制备方法包括:
釉面工艺:直接在坯上或面釉上,通过喷釉或淋釉的生产方法定位或者整面布施所述的星钻裂纹釉或星钻裂纹釉浆,施抛釉,烧成,全抛光、半抛光或不抛光。
9.根据权利要求1所述的星钻裂纹陶瓷,其特征在于:其制备方法包括:
全抛工艺:在坯体面釉上喷墨设计图案,在上面通过喷釉或淋釉的生产方法定位或者整面布施所述的星钻裂纹釉或星钻裂纹釉浆,施全抛釉或干粒抛釉,烧成,全抛光。
10.根据权利要求7~9任一项所述的星钻裂纹陶瓷,其特征在于:烧制温度为1180~1235℃;和/或
烧制时间为40~70min。
11.根据权利要求1所述的星钻裂纹陶瓷,其特征在于:所述抛釉选自全抛釉、普通透明抛釉或干粒釉中的至少一种。
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