[发明专利]基于倒T型结构的太赫兹吸波器在审
| 申请号： | 202210380640.4 | 申请日： | 2022-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN114512820A | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 付麦霞;王金义;杨鹏须;叶玉超;夏娜;周飞;段宇乐;郭邵帅 | 申请（专利权）人： | 河南工业大学 |
| 主分类号： | H01Q17/00 | 分类号： | H01Q17/00;H01Q15/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 450001 河南省郑州市高新技*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 结构 赫兹 吸波器 | ||
【权利要求书】：
1.基于倒T型结构的太赫兹吸波器，由周期结构组成，其特征在于包括若干在平面上沿同一个方向周期排列的基本单元；每个基本单元包括三层：上层为倒T型结构图，中间为电介质二氧化硅层，下层为金属层。
2.如权利要求1所述的基于倒T型结构的太赫兹吸波器，其特征在于，所述的每个基本单元对应的倒T型结构相同，其具体结构形状如下：倒T型结构的长为64μm，其宽都为2μm。
3.如权利要求1所述的基于倒T型结构的太赫兹吸波器，其特征在于，所述的两个相邻倒T型结构其间距为4~6μm。
4.如权利要求1所述的基于倒T型结构的太赫兹吸波器，其特征在于，所述的两个相邻倒T型结构的厚度为0.2~0.3μm。
5.如权利要求1所述的基于倒T型结构的太赫兹吸波器，其特征在于所述中间电介质层的材料为二氧化硅，所述介质层的厚度h=5~8μm。
6.如权利要求1所述的基于倒T型结构的太赫兹吸波器，其特征在于所述下层为金属层，其厚度为0.4~0.6μm。
7.如权利要求1所述的基于倒T型结构的太赫兹吸波器，其特征在于，所述每个单元结构的周期是 120*120μm。
8.根据权利要求1所述的基于倒T型结构的太赫兹吸波器，其特征在于：所述底层金属(6)是为了阻止太赫兹波穿透。
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