[发明专利]一种TaAl合金的溶解方法

说明书

本发明提供了一种TaAl合金的溶解方法，所述溶解方法包括如下步骤：(1)均匀混合TaAl合金与复合酸溶液，得到混合溶液；(2)步骤(1)所得混合溶液依次经加热、定容得到试样溶液；步骤(1)所述复合酸溶液为体积比1:(5‑7)的硝酸与氢氟酸。本发明通过调控硝酸与氢氟酸的合理配比以及加热参数，使所述TaAl合金完全溶解，从而可配制成适用于ICP‑OES的试样溶液。

技术领域

本发明涉及分析化学技术领域，具体涉及一种TaAl合金的溶解方法。

背景技术

TaAl合金薄膜材料在薄膜集成电路中具有重要地位。TaAl合金薄膜中Ta、Al原子比一定时，具有很好的稳定性；TaAl合金薄膜容易通过阳极氧化在膜表面生成致密的氧化物钝化膜，在热老化或功率老化中具有优异的稳定性，可以用于制造高精度、高稳定的功率电阻或功率型集成电阻网络。

CN 104157632A公开了一种基于选择性铝阳极氧化的BGA基板多层互连结构及方法，利用选择性铝阳极氧化工艺制造上层铝薄膜多层互连结构和下层铝基板穿孔金属化结构，上层铝薄膜多层互连结构的钽铝合金薄膜中的若干导带分别与铝薄膜中的若干导带电性连接；相邻两组的钽铝合金薄膜与铝薄膜的结构的连接面上的若干导带分别电性连接；淀积在下层铝基板穿孔金属化结构上的钽铝合金薄膜的若干导带分别与若干铝通柱的上端电性连接，简化了BGA基板的制造流程，降低了BGA基板的成本，提高了互连结构的稳定性。

CN 1997519A公开了一种用于微流体喷头的半导体衬底，该衬底包含流体喷射执行器，每个流体喷射执行器包括薄膜加热元件以及相邻的保护层。该薄膜加热元件由具有纳晶结构的氮化钽铝薄膜材料构成，该材料主要由AlN、TaN和TaAl合金组成，该薄膜材料具有范围约为30到100欧姆每方的薄膜电阻，并且包含约30到70原子百分比的钽、10到40原子百分比的铝和5到30原子百分比的氮。

TaAl合金薄膜中Al含量对于设计制作高精度、高稳定的薄膜电阻至关重要，因此，需要准确测定TaAl合金中Al含量。目前，一般采用电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP-OES)对金属材料进行成分检测，ICP-OES具有干扰少，信号稳定，操作简单等优点，可以检测大部分金属元素和部分非金属元素。

采用ICP-OES进行成分测定前，需要先将待检测的金属材料用酸液溶解，然后经定容稀释得到试样溶液即可上机检测。TaAl合金中Ta在氢氟酸和硝酸的混酸中能迅速溶解，在氢氟酸中也能被溶解；Al易被稀硫酸、硝酸以及盐酸溶解。但目前只有单一金属的酸液溶解方法，并没有应对TaAl合金的溶解方法。

针对现有技术的不足，需要提供一种有效溶解TaAl合金的方法，进而配制成可以用于ICP-OES的测试样本。

发明内容

本发明的目的在于提供一种TaAl合金的溶解方法，通过调控硝酸与氢氟酸的合理配比以及加热参数，使所述TaAl合金完全溶解，从而可配制成适用于ICP-OES的试样溶液。

为达到此发明目的，本发明采用以下技术方案：

本发明提供了一种TaAl合金的溶解方法，所述溶解方法包括如下步骤：

(1)均匀混合TaAl合金与复合酸溶液，得到混合溶液；

(2)步骤(1)所得混合溶液依次经加热、定容得到试样溶液。

本发明提供的TaAl合金的溶解方法，结合所述TaAl合金中各元素在酸中的溶解程度，确定了硝酸与氢氟酸的复合溶液作为溶解液，调控合理的配比，并控制加热参数，使所述TaAl合金可以完全溶解，能够满足作为ICP-OES试样溶液的要求。

步骤(1)所述复合酸溶液为体积比1:(5-7)的硝酸与氢氟酸，例如可以是1:5、1:5.5、1:6、1:6.5或1:7，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。