[发明专利]一种基于赛灵思平台及RAID技术的存储主板的智能销毁方法在审

专利信息
申请号: 202210376748.6 申请日: 2022-04-12
公开(公告)号: CN114840885A 公开(公告)日: 2022-08-02
发明(设计)人: 李修录;吴健全;朱小聪;尹善腾 申请(专利权)人: 深圳市安信达存储技术有限公司
主分类号: G06F21/79 分类号: G06F21/79;G06F11/07
代理公司: 深圳市华盛智荟知识产权代理事务所(普通合伙) 44604 代理人: 王晓艳
地址: 518000 广东省深圳市宝安区新桥*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 基于 赛灵思 平台 raid 技术 存储 主板 智能 销毁 方法
【权利要求书】:

1.一种基于赛灵思平台及RAID技术的存储主板的智能销毁方法,其特征在于,所述基于赛灵思平台及RAID技术的存储主板包括赛灵思处理器以及RAID模块,所述RAID模块包括板贴于所述赛灵思平台的若干嵌入式存储芯片,所述赛灵思处理器包括RAID算法,所述若干嵌入式存储芯片根据所述RAID算法存储数据,所述智能销毁方法包括步骤:第一步,所述若干嵌入式存储芯片接收到销毁信号;

第二步,所述若干嵌入式存储芯片监测所述销毁信号的持续时间;

第三步,所述若干嵌入式存储芯片判断所述持续时间是否满足预设时间;

第四步,若所述持续时间满足预设时间,则确定进入擦除执行状态,并基于所述擦除执行状态对所述存储数据进行擦除操作;

第五步,通过预设的判断条件判断所述擦除操作是否完成;

第六步,若确定所述擦除操作完成,则进入待机状态。

2.根据权利要求1所述的一种基于赛灵思平台及RAID技术的存储主板的智能销毁方法,其特征在于,所述第一步中,由所述赛灵思处理器向所述嵌入式存储芯片发送所述销毁信号。

3.根据权利要求1所述的一种基于赛灵思平台及RAID技术的存储主板的智能销毁方法,其特征在于,基于赛灵思平台及RAID技术的存储主板还包括连接所述嵌入式存储芯片的智能销毁排插,在所述第一步中,通过将所述智能销毁排插短接向所述嵌入式存储芯片发送所述销毁信号。

4.根据权利要求2所述的一种基于赛灵思平台及RAID技术的存储主板的智能销毁方法,其特征在于,在所述第四步中,当所述嵌入式存储芯片处于所述擦除执行状态时,若接收到所述赛灵思处理器的任何一个控制信号,则从所述擦除执行状态进入故障处理状态;所述任何一个控制信号用于指示所述嵌入式存储芯片进入对应的任务执行状态;所述嵌入式存储芯片生成响应于所述任何一个控制信号的错误信号,将所述错误信号返回给所述赛灵思处理器,所述错误信号用于表示所述嵌入式存储芯片进入对应的任务执行状态失败;当发送所述错误信号后,所述嵌入式存储芯片从所述故障处理状态进入所述擦除执行状态,以继续进行所述擦除操作。

5.根据权利要求2所述的一种基于赛灵思平台及RAID技术的存储主板的智能销毁方法,其特征在于,在所述第四步中,当所述嵌入式存储芯片处于所述擦除执行状态时,若接收到电源循环信号,则从所述擦除执行状态进入擦除暂停状态,所述电源循环信号用于指示所述嵌入式存储芯片执行电源循环操作;所述嵌入式存储芯片根据所述电源循环信号执行电源循环操作;及当所述电源循环操作执行完成后,所述嵌入式存储芯片从所述擦除暂停状态进入所述擦除执行状态,以继续进行所述擦除操作。

6.根据权利要求1或2或5所述的一种基于赛灵思平台及RAID技术的存储主板的智能销毁方法,其特征在于,所述嵌入式存储芯片包括通过BGA技术封装于其内部的控制模块、闪存模块、缓存模块以及接口模块,所述控制模块包括总线控制器、微型处理器以及DMA控制器,所述闪存模块包括闪存控制器、闪存芯片,所述缓存模块包括DRAM控制器、DDR3缓存,所述接口模块包括SATA接口、UART接口。

7.根据权利要求6所述的一种基于赛灵思平台及RAID技术的存储主板的智能销毁方法,其特征在于,所述赛灵思处理器包括8个信号通道,所述嵌入式存储芯片的数量为2个或4个或6个或8个。

8.根据权利要求7所述的一种基于赛灵思平台及RAID技术的存储主板的智能销毁方法,其特征在于,所述嵌入式存储芯片包括QE引脚,所述QE引脚处于低电平时,触发智能销毁。

9.根据权利要求8所述的一种基于赛灵思平台及RAID技术的存储主板的智能销毁方法,其特征在于,所述基于赛灵思平台及RAID技术的存储主板还包括给嵌入式存储芯片供电的供电模块。

10.根据权利要求9所述的一种基于赛灵思平台及RAID技术的存储主板的智能销毁方法,其特征在于,所述供电模块包括电压时序控制电路,其可根据预设上电时序分别向所述控制模块输出第一电压、向所述闪存模块输出第二电压、向所述缓存模块输出第三电压、向所述接口模块输出第四电压。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市安信达存储技术有限公司,未经深圳市安信达存储技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210376748.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top