[发明专利]显示面板及其制备方法在审
申请号: | 202210354089.6 | 申请日: | 2022-04-06 |
公开(公告)号: | CN114843315A | 公开(公告)日: | 2022-08-02 |
发明(设计)人: | 张晓星;其他发明人请求不公开姓名 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 黄舒悦 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括相邻设置的显示区和非显示区,包括:
衬底;和
晶体管层,所述晶体管层设置于所述衬底上,所述晶体管层包括至少一互补部、至少一晶体管和至少一走线部,每一所述互补部、每一所述晶体管和每一所述走线部位于所述显示区,每一所述晶体管与一所述走线部间隔设置,所述晶体管在所述衬底上的正投影与所述走线部在所述衬底上的正投影以及所述互补部在所述衬底上的正投影错开设置;
其中,所述互补部在所述衬底上的正投影与所述走线部在所述衬底上的正投影错开设置,或者,所述互补部在所述衬底上的正投影与所述走线部在所述衬底上的正投影重叠;以及
发光层,所述发光层设置于所述晶体管层上,且位于所述显示区。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述走线部包括堆叠设置的控制走线、信号走线和电极走线中的至少两种,所述互补部在所述衬底上的正投影与所述走线部在所述衬底上的正投影错开设置。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述晶体管包括有源部,所述走线部包括控制走线和信号走线,所述有源部、所述互补部以及所述控制走线同层设置于所述衬底上,所述信号走线与所述互补部以及所述有源部间隔设置,且所述信号走线与所述控制走线对应设置。
4.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述晶体管包括遮光部,所述走线部包括信号走线和控制走线,所述互补部与所述遮光部以及所述信号走线同层设置于所述衬底上,所述控制走线与所述遮光部间隔设置,所述控制走线位于信号走线的上方。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述晶体管层还包括缓冲层,所述晶体管还包括绝缘部以及栅极,所述走线部还包括介质部,所述晶体管层还包括层间介质层;
所述缓冲层覆盖所述信号走线、所述互补部以及所述遮光部;
所述有源部、所述绝缘部以及所述栅极依次层叠设置于所述缓冲层上,且与所述遮光部对应设置;
所述介质部和所述控制走线依次层叠设置于所述缓冲层上,且与所述信号走线对应设置;
所述层间介质层设置于所述缓冲层、所述有源部、所述绝缘部、所述栅极、所述介质部以及所述控制走线上。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述晶体管还包括源漏极,所述走线部还包括电极走线,所述晶体管层还包括钝化层以及平坦层,所述源漏极与所述电极走线同层且间隔设置于所述层间介质层上,且所述源漏极与有源部连接且对应设置,所述电极走线与所述控制走线对应设置,所述钝化层以及所述平坦层依次层叠设置于所述层间介质层、所述源漏极以及所述电极走线上;所述晶体管、所述缓冲层、所述层间介质层、所述钝化层以及所述平坦层的厚度之和以及所述走线部、所述缓冲层、所述层间介质层、所述钝化层以及所述平坦层的厚度之和均小于所述缓冲层、所述层间介质层、所述钝化层以及所述平坦层的厚度之和;
所述晶体管、所述缓冲层、所述层间介质层、所述钝化层以及所述平坦层的厚度之和以及所述走线部、所述缓冲层、所述层间介质层、所述钝化层以及所述平坦层的厚度之和与所述互补部、所述缓冲层、所述层间介质层、所述钝化层以及所述平坦层的厚度之和相等。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述走线部包括控制走线、信号走线和电极走线中的一种,所述互补部在所述衬底上的正投影与所述走线部在所述衬底上的正投影重叠。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述晶体管包括遮光部,所述走线部包括信号走线,所述互补部与所述遮光部同层设置于所述衬底上,所述信号走线设置于所述互补部远离所述衬底的一面上。
9.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述互补部在所述衬底上的正投影与所述走线部在所述衬底上的正投影错开设置,设置有所述互补部的所述晶体管层远离所述衬底的表面与设置有所述晶体管的所述晶体管层远离所述衬底的表面以及设置有所述走线部的所述晶体管层远离所述衬底的表面之间的厚度差值小于400纳米。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的