[发明专利]存储器的编程操作方法及装置在审
| 申请号: | 202210350253.6 | 申请日: | 2021-01-19 |
| 公开(公告)号: | CN114863959A | 公开(公告)日: | 2022-08-05 |
| 发明(设计)人: | 李楷威;宋雅丽;赵向南 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号: | G11C5/14 | 分类号: | G11C5/14;G11C16/14 |
| 代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 邵磊;蒋雅洁 |
| 地址: | 430074 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 存储器 编程 操作方法 装置 | ||
1.一种存储器的编程操作方法,其特征在于,所述存储器包括依次串联的第一存储串、第二冗余存储串和第二存储串,其中,所述第一存储串连接至位线;所述第二存储串连接至源极线;所述第一存储串包括串联的多个第一存储单元和与所述多个第一存储单元耦接的多个第一字线;所述第二冗余存储串包括串联的至少一个第二冗余存储单元和与所述至少一个第二冗余存储单元耦接的第二冗余字线;所述编程操作方法包括:
对所述第一存储串包括的所述多个第一存储单元进行第一编程操作的预充电,其中,所述预充电包括:向所述位线提供第一预设电压;向与处于已编程状态的所述第一存储单元耦接的第一字线提供第二预设电压,使所述处于已编程状态的所述第一存储单元导通;以及,向与处于已编程状态的所述第二冗余存储单元耦接的第二冗余字线提供第四预设电压,使所述处于已编程状态的所述第二冗余存储单元不导通;
进行所述第一编程操作,其中,所述第一编程操作按照从与所述位线相邻的第一存储单元向与所述第二冗余存储串相邻的第一存储单元的编程顺序依次进行编程。
2.根据权利要求1所述的存储器的编程操作方法,其特征在于,所述第一预设电压的持续时长大于所述第二预设电压的持续时长。
3.根据权利要求1所述的存储器的编程操作方法,其特征在于,所述进行所述第一编程操作,包括:
对当前选定的第一存储单元进行编程;
当完成对所述当前选定的第一存储单元的编程时,对下一选定的第一存储单元进行所述第一编程操作的预充电及进行所述第一编程操作,其中,所述下一选定的第一存储单元位于所述当前选定的第一存储单元与所述第二冗余存储串之间且与所述当前选定的第一存储单元相邻。
4.根据权利要求1所述的存储器的编程操作方法,其特征在于,所述进行所述第一编程操作,包括:
向与当前选定的第一存储单元耦接的第一字线提供编程电压;
向与剩余的所述第一存储单元耦接的第一字线、所述第二冗余字线、与所述第二存储串中包含的第二存储单元耦接的第二字线提供沟道导通电压。
5.根据权利要求1所述的存储器的编程操作方法,其特征在于,所述存储器还包括位于所述第一存储串和所述位线之间的第一冗余存储串,所述第一冗余存储串包括串联的至少一个第一冗余存储单元和与所述至少一个第一冗余存储单元耦接的第一冗余字线,所述进行第一编程操作的预充电,还包括:
向与处于已编程状态的所述第一冗余存储单元耦接的第一冗余字线提供第三预设电压,使所述处于已编程状态的所述第一冗余存储单元导通。
6.根据权利要求1所述的存储器的编程操作方法,其特征在于,所述第二存储串包括多个第二存储单元和与所述多个第二存储单元耦接的多个第二字线,所述编程操作方法还包括:
对所述第二存储串包括的所述多个第二存储单元进行第二编程操作的预充电;其中,所述预充电包括:向所述位线提供第五预设电压;向与处于已编程状态的所述第二存储单元耦接的第二字线、所述多个第一字线和所述第二冗余字线提供第六预设电压,使所述处于已编程状态的所述第二存储单元、所述多个第一存储单元和所述至少一个第二冗余存储单元导通;
进行所述第二编程操作,所述第二编程操作按照从与所述第二冗余存储串相邻的第二存储单元向与所述源极线相邻的第二存储单元的编程顺序依次进行编程。
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