[发明专利]封装器件的失效定位方法

权利要求书

1.一种封装器件的失效定位方法，其特征在于，所述封装器件的失效定位方法包括：

获取未失效封装器件的参考信号，所述参考信号包括所述未失效封装器件的时域信号；

获取失效封装器件的测量信号，所述测量信号包括所述失效封装器件的时域信号；

对比所述参考信号和所述测量信号，获得所述失效封装器件的失效位置。

2.根据权利要求1所述的封装器件的失效定位方法，其特征在于，所述封装器件包括多层结构；所述获取所述未失效封装器件的参考信号包括：

沿厚度方向依次去除所述未失效封装器件的各层结构，并在去除每一层结构之后，均获取剩余结构的时域信号。

3.根据权利要求2所述的封装器件的失效定位方法，其特征在于，通过时域反射测量系统获取所述时域信号。

4.根据权利要求3所述的封装器件的失效定位方法，其特征在于，所述通过时域反射测量系统获取所述时域信号，包括：

通过时域反射测量系统中的探针接触所述未失效封装器件的封装管脚，所述探针发射脉冲信号，所述脉冲信号在所述未失效封装器件的引线中传播，以得到所述时域信号。

5.根据权利要求2所述的封装器件的失效定位方法，其特征在于，所述去除所述未失效封装器件的各层结构的方法包括机械研磨法、离子刻蚀法和化学腐蚀法中的至少一种。

6.根据权利要求2所述的封装器件的失效定位方法，其特征在于，所述获取未失效封装器件的参考信号之前，还包括：

采用 3D X-射线的方法对所述未失效封装器件进行扫描分析；

记录所述未失效封装器件的封装结构及各层结构的物理参数；所述物理参数包括所述未失效封装器件的各层结构的形状和厚度。

7.根据权利要求1所述的封装器件的失效定位方法，其特征在于，所述获取失效封装器件的测量信号包括：

通过时域反射测量系统获取所述失效封装器件的整体结构的时域信号。

8.根据权利要求7所述的封装器件的失效定位方法，其特征在于，所述对比所述参考信号和所述测量信号，获得所述失效封装器件的失效位置，包括：

对比所述未失效封装器件的时域信号和所述失效封装器件的整体结构的时域信号，确定所述失效封装器件的失效位置。

9.根据权利要求1所述的封装器件的失效定位方法，其特征在于，所述封装器件包括：裸片结构层、微凸点结构层、通孔结构、硅转接板结构层、可控塌陷芯片连接凸起结构层、封装层、球栅阵列封装结构层及叠印制板结构层。

10.根据权利要求9所述的封装器件的失效定位方法，其特征在于，所述微凸点结构层中的最小的微凸点的直径小于20μm；所述通孔结构中的最小的通孔的直径小于20μm。