[发明专利]带置复位结构的D触发器及其单粒子轰击位置定位方法

权利要求书

1.一种带置复位结构的D触发器，其特征在于，包括置复位电路网络单元和结构完全一致的至少两条D触发器链，所述D触发器链由多级D触发器单元依次级联构成，各条D触发器链中的每一级D触发器单元一一对应、且各条D触发器链中的任意一级D触发器单元共用置复位电路网络单元提供的D触发器信号RD1和RD2。

2.根据权利要求1所述的带置复位结构的D触发器，其特征在于，所述置复位电路网络单元包括一个输入端以输入信号RD和用于输出D触发器信号RD1和RD2的两个输出端。

3.根据权利要求2所述的带置复位结构的D触发器，其特征在于，所述置复位电路网络单元包括8个PMOS管P111～P118和12个NMOS管N111～N114、N116、N118～N120，PMOS管P111的栅极连接输入信号RD，源极连接电源VDD，漏极连接PMOS管P112的源极；PMOS管P114的栅极连接输入信号RD，源极连接电源VDD，漏极连接NMOS管N114的漏极；NMOS管N114的栅极连接输入信号RD，源极连接地VSS；PMOS管P115的栅极连接PMOS管P114和NMOS管N114的漏极，源极连接电源VDD，漏极连接NMOS管N116的漏极；NMOS管N116的栅极连接PMOS管P114和NMOS管N114的漏极，源极连接地VSS；PMOS管P112的栅极连接PMOS管P115和NMOS管N116的漏极，源极连接PMOS管P111的漏极，漏极连接NMOS管N111的源极；NMOS管N111的栅极连接PMOS管P115和NMOS管N116的漏极，源极连接NMOS管N112的漏极；NMOS管N112的栅极连接输入信号RD，源极连接地VSS；PMOS管P116的栅极连接输入信号RD，源极连接电源VDD，漏极连接PMOS管P117的源极；PMOS管P117的栅极连接PMOS管P115和NMOS管N116的漏极，源极连接PMOS管P116的漏极，漏极连接NMOS管N118的漏极；NMOS管N118的栅极连接PMOS管P115和NMOS管N116的漏极，源极连接NMOS管N119的漏极，漏极连接PMOS管P117的漏极；NMOS管N119的栅极连接输入信号RD，源极连接地VSS，漏极连接NMOS管N118的源极；PMOS管P113的栅极连接PMOS管P112和NMOS管N111的漏极，源极连接电源VDD，漏极连接NMOS管N113的漏极；NMOS管N113的栅极连接PMOS管P112和NMOS管N111的漏极，源极连接VSS，漏极连接PMOS管P113的漏极；PMOS管P113和NMOS管N113的漏极连接输出D触发器信号RD1；PMOS管P118的栅极连接PMOS管P117和NMOS管N118的漏极，源极连接电源VDD，漏极连接NMOS管N120的漏极；NMOS管N120的栅极连接PMOS管P117和NMOS管N118的漏极，源极连接地VSS，漏极连接PMOS管P118的漏极；PMOS管P118和NMOS管N120的漏极连接输出D触发器信号RD2。

4.根据权利要求3所述的带置复位结构的D触发器，其特征在于，所述置复位电路网络单元还包括NMOS管N115，NMOS管N115的栅极连接PMOS管P114和NMOS管N114的漏极，源极和漏极连接地VSS，NMOS管N115用于作为电容使用。

5.根据权利要求4所述的带置复位结构的D触发器，其特征在于，所述置复位电路网络单元还包括NMOS管N117，NMOS管N117的栅极连接PMOS管P115和NMOS管N116的漏极，源极和漏极连接VSS，NMOS管N117用于作为电容使用。

6.根据权利要求1所述的带置复位结构的D触发器，其特征在于，所述D触发器单元均为采用主从交叉DICE结构的主从交叉DICE触发器。